Ätzkurve

Verfahren zur Endpunkterfassung in einem Halbleiterplättchen-Ätzsystem mit folgenden Schritten: Parken eines Strahlungsenergiestrahles auf einem bevorzugten Lichtpunkt auf der Oberfläche eines Halbleiterplättchens, Erfassen des reflektierten Teils des Strahls zur Bestimmung einer tatsächlichen Ätzkurve, und Analysieren des reflektierten Teils zur Bestimmung, wann die Oberfläche an dem bevorzugten Lichtpunkt durchgeätzt wurde, durch Vergleichen der tatsächlichen Ätzkurve mit einer projizierten Ätzkurve.

A method for endpoint detection in a semiconductor wafer etching system comprising the steps of: parking a beam of radiant energy on a preferred spot of a semiconductor wafer surface; detecting a reflected portion of said beam to determine an actual etching curve; and analyzing said reflected portion to determine when said surface at said preferred spot has been etched through by comparing said actual etching curve to a projected etching curve.