Ausbauchung

die unmittelbar über dem Aufstandspunkt liegende Ausbauchung der Reifenwände.

the deflected part of the tyre walls immediately above the point of contact with the ground.

2.3 . _DOUBLEQUOTE_ Fahrzeugbreite _DOUBLEQUOTE_ den Abstand zwischen zwei parallel zur Laengsmittelebene verlaufenden Ebenen , die das Fahrzeug auf beiden Seiten der genannten Ebene beruehren , jedoch ohne Beruecksichtigung von Rueckspiegeln , Seitenbegrenzungsleuchten , Reifendruckanzeigern , Fahrtrichtungsanzeigern , Begrenzungsleuchten , flexiblen Schmutzfaengern sowie der Ausbauchung der Reifenflanken unmittelbar ueber dem Aufstandspunkt ;

2.3 . ' vehicle width ' means the distance between two planes parallel to the longitudinal median plane and touching the vehicle on either side of the said plane but excluding the rear-view mirrors , side marker lamps , tyre pressure indicators , direction indicator lamps , position lamps , flexible mud-guards and the deflected part of the tyre side-walls immediately above the point of contact with the ground ;

ausbauchung

expanding monitoring

- die unmittelbar ueber dem Aufstandspunkt liegende Ausbauchung der Reifenwaende .

- the deflected part of the tyre walls immediately above the point of contact with the ground .

eine Ausbauchung an den Ecken am Artikel

a bulge at the corners on Article

Ferner werden mit den Ausbauchungen Luftkanäle zwischen der jeweiligen Ausbauchung und dem jeweiligen Antriebsrad ausgebildet.

Furthermore, with the bulges air channels are formed between the respective bulge and the respective drive wheel.

Photodiode mit folgenden Merkmalen: einem Halbleitersubstrat (12); einem photoempfindlichen Bereich (18; 24) in dem Substrat, wobei der photoempfindliche Bereich einen Raumladungszonenbereich (18) zum Erzeugen eines Driftstromanteils und einen Diffusionsbereich (24) zum Erzeugen eines Diffusionsstromanteils aufweist; und einer Isolationseinrichtung (20) in dem Halbleitersubstrat (12) zum zumindest teilweisen Eingrenzen des Diffusionsbereichs (24) von einem angrenzenden Umgebungsbereich (28) des Halbleitersubstrats (12), wobei das Halbleitersubstrat (12) von einem ersten Leitungstyp ist, und der Raumladungszonenbereich (18) durch einen Signalbereich (16) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp in dem Halbleitersubstrat gebildet wird, der zu dem ersten Leitfähigkeitstyp unterschiedlich ist, wobei die Isolationsseinrichtung durch einen Isolationsbereich (20) des zweiten Leitfähigkeitstyps in dem Halbleitersubstrat (12) in einem vorbestimmten Abstand zu dem Signalbereich (16) gebildet ist, und wobei das Halbeitersubstrat (12) ein Dotierungsprofil aufweist, welches eine in Tieferichtung abnehmende Dotierungsdichte aufweist, derart, daß sich eine Ausbauchung einer Raumladungszone des Isolationsbereiches (20) in tiefergelegenere Regionen des Halbleitersubstrats (12) ergibt, die sich auch unter den photoempfindlichen Bereich (18; 24) erstreckt und diesen hierdurch vertikal von noch tiefer gelegenen Regionen des Halbleitersubstrates (12) isoliert bzw. vor dort erzeugten und in Richtung des photoempfindlichen Bereiches (18; 24) diffundierenden Ladungsträger abschirmt.

A photodiode, comprising: a semiconductor substrate (12); a photosensitive region (18; 24) in the substrate, the photosensitive region having a space charge zone region (18) for generating a drift current portion and a diffusion region (24) for generating a diffusion current portion; and an insulation means (20) in the semiconductor substrate (12) for at least partially confining the diffusion region (24) from an adjacent surrounding region (28) of the semiconductor substrate (12), wherein the semiconductor substrate (12) is of a first conduction type, and the space charge zone region (18) is formed by a signal region (16) with a second connectivity type in the semiconductor substrate, which is different from the first conductivity type, wherein the insulation means is formed by an insulation region (20) of the second conductivity type in the semiconductor substrate (12) at a predetermined spacing to the signal region, and wherein the semiconductor substrate (12) comprises a doping profile having a doping density decreasing in depth direction, such that a bulging of a space charge zone of the insulation region (20) in lower regions of the semiconductor substrate results (12), which also extends below the photosensitive region (18; 24) and thereby insulates the same vertically from lower regions of the semiconductor substrate (12) or shields the same, respectively, from charge carriers generated there and diffusing in the direction of the photosensitive region (18; 24).

Die Bogenhöhe 10 der Ausbauchung 9 nimmt in Stranglaufrichtung 11 bei sich folgenden Querschnitten stetig ab.

As stated earlier, the arc height 10 of the protuberances 9, which represents the maximum arc height of the latter decreases continuously in the casting direction 11, i.e., the protuberances 9 taper radially inwardly in the casting direction 11.