Betriebstaktfrequenz

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung (80) mit den Schritten: a) Ausbilden eines ersten Schaltungsblocks (50) auf einem ersten Halbleiterchip und Ausbilden eines zweiten Schaltungsblocks (60) auf einem zweiten Halbleiterchip; und b) elektrisches Verbinden des ersten Schaltungsblocks (50) mit dem zweiten Schaltungsblock (60), dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt a) die Schritte umfasst: Gruppieren einer Mehrzahl von Schaltungen, welche auf ein und dem selben Halbleiterchip integrierbar sind in dem ersten Schaltungsblock (50) und dem zweiten Schaltungsblock (60) in Abhängigkeit von bzw. gemäß einem ersten Blockparametertyp, so dass der erste Schaltungsblock Schaltungen umfasst, welche einen gemeinsamen ersten Blockparameter des ersten Blockparametertyps teilen und der zweite Schaltungsblock Schaltungen umfasst, welche einen gemeinsamen zweiten Blockparameter desselben ersten Blockparametertyps wie der erste Blockparameter teilen, aber von einem anderen Wert als der des ersten Blockparameters; Ausbilden des ersten Schaltungsblocks (50) auf dem ersten Halbleiterchip durch Durchführen eines ersten Halbleiterherstellungsverfahrens in Abhängigkeit von bzw. gemäß dem ersten Blockparametertyp; und Ausbilden des zweiten Schaltungsblocks (60) auf dem zweiten Halbleiterchip durch Durchführen eines zweiten Halbleiterherstellungsverfahrens in Abhängigkeit von bzw. gemäß dem ersten Blockparametertyp, wobei das zweite Halbleiterherstellungsverfahren von dem ersten Halbleiterherstellungsverfahren verschieden ist, wobei der erste Blockparametertyp ein Parametertyp ist, welcher ausgewählt wird aus einer Gruppe bestehend aus: einer Betriebstaktfrequenz; einer Design- bzw. Entwurfsregel; einem Grenz- bzw. Schwellwert (Vt) eines Transistors; einer Versorgungsspannung; ob der Schaltungsblock aus digitalen Schaltungen oder analogen Schaltungen besteht; ob der Schaltungsblock eine gewöhnliche MOS-Schaltung, eine CMOS-Schaltung, eine bipolare Schaltung, oder eine bi-CMOS-Schaltung ist; ob der Schaltungsblock ein ROM oder ein RAM ist; ob der Schaltungsblock eine logische Schaltung oder ein Speicher ist, und der erste Schaltungsblock (50) eine Steuerungs- bzw. Regelungsabschnittsschaltung umfasst, und der zweite Schaltungsblock (60) ein Peripherieschaltungsabschnittschip ist, gesteuert bzw. geregelt durch die Steuerungs- bzw. Regelungsabschnittsschaltung.

A method of fabricating a semiconductor device (80), comprising the steps of: (a) forming a first circuit block (50) on a first semiconductor chip and forming a second circuit block (60) on a second semiconductor chip; and (b) electrically connecting the first circuit block (50) with the second circuit block (60), characterised in that the step (a) includes the steps of: grouping a plurality of circuits which are integratable on one and the same semiconductor chip into the first circuit block (50) and the second circuit block (60) in accordance with a first block parameter type, so that the first circuit block includes circuits which share a common first block parameter of the first block parameter type and the second circuit block includes circuits which share a common second block parameter of the same first block parameter type as the first block parameter, but of a different value from that of the first block parameter; forming the first circuit block (50) on the first semiconductor chip by performing a first semiconductor fabrication process in accordance with the first block parameter type; and forming the second circuit block (60) on the second semiconductor chip by performing a second semiconductor fabrication process in accordance with the first block parameter type, the second semiconductor fabrication process being different from the first semiconductor fabrication process, wherein the first block parameter type is a parameter type selected from the group consisting of: an operational clock frequency; a design rule; a threshold value (Vt) of a transistor; a power voltage; whether the circuit block consists of digital circuits or analogue circuits; whether the circuit block is an ordinary MOS circuit, a CMOS circuit, a bipolar circuit or a bi-CMOS circuit; whether the circuit block is a ROM or a RAM; and whether the circuit block is a logic circuit or a memory, and the first circuit block (50) includes a control section circuit, and the second circuit block (60) is a peripheral circuit section chip controlled by the control section circuit.