Dotierungsstoff

Halbleiterlaser, der folgendes aufweist: ein n-leitendes Halbleitersubstrat (1); eine aktive Schicht (3), die auf dem n-leitenden Halbleitersubstrat (1) ausgebildet ist; und eine p-leitende Mantelschicht (5, 6, 7), die auf der aktiven Schicht (3) ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die p-leitende Mantelschicht (5, 6, 7) derart ausgebildet ist, daß Bereiche, die mit einem p-leitenden Dotierungsstoff dotiert sind, in der nachstehenden Reihenfolge ausgebildet sind: ein erster schwach dotierter oder undotierter Bereich (5), der als Diffusionsverhinderungsschicht (5) in einem Bereich nahe der aktiven Schicht (3) wirksam ist, um ein Diffundieren des p-leitenden Dotierungsstoffs zu der aktiven Schicht (3) zu verhindern, ein stark dotierter Bereich (6), der als Trägerblockierschicht (6) wirksam ist, um Träger von der aktiven Schicht (3) zu blockieren und die Träger in der aktiven Schicht (3) einzugrenzen, wenn der Halbleiterlaser in Betrieb ist, und ein zweiter schwach dotierter Bereich (7), der als Lichtabsorptionssperrschicht (7) wirksam ist, um die Absorption von Licht durch Löcher zu hemmen, wenn der Halbleiterlaser in Betrieb ist, ausgehend von einem Bereich, der der aktiven Schicht (3) am nächsten ist, in einer Stapelrichtung, und ein maximaler Konzentrationswert des p-leitenden Dotierungsstoffs in dem stark dotierten Bereich (6) innerhalb eines Bereichs von 50 bis 250 nm in der Stapelrichtung, ausgehend von der aktiven Schicht (3), existiert und wobei die Dotierungskonzentration des zweiten schwach dotierten Bereichs zwischen den Dotierungskonzentrationen des ersten schwach dotierten und des stark dotierten Bereichs liegt.

A semiconductor laser comprising: an n-type semiconductor substrate (1); an active layer (3) formed on the n-type semiconductor substrate (1); and a p-type cladding layer (5, 6, 7) formed on the active layer (3), characterized in that the p-type cladding layer (5, 6, 7) is formed such that regions doped with a p-type dopant are formed in the order of a first lightly doped or undoped region (5) acting as a diffusion preventing layer (5) in a region near the active layer (3) to prevent diffusion of the p-type dopant to the active layer (3), a heavily doped region (6) acting as a carrier blocking layer (6) to block carriers from the active layer (3) and confine the carriers in the active layer (3) when the semiconductor laser is in operation, and a second lightly doped region (7) acting as a light absorption inhibiting layer (7) to inhibit absorption of light by holes when the semiconductor laser is in operation from a region closest to the active layer (3) in a stacking direction, and in that a maximum value of concentration of the p-type dopant exists in the heavily doped region (6) within a range of 50 to 250 nm in the stacking direction from the active layer (3) and whereby the doping concentration of the second lightly doped region is between the doping concentrations of the first lightly doped and the heavily doped region.

Raman-Verstärker nach Anspruch 1, wobei die Verstärkungsfaser auf Silikabasis Dotierungsstoff umfaßt, der aus der Gruppe bestehend aus Ge und P ausgewählt wird. Raman-Verstärker nach Anspruch 1, weiterhin mit Mitteln zum Abstimmen eines Verstärkungsspektrums des Raman-Lichtleitfaserverstärkers.

Raman amplifier according to claim 1, wherein said silica-based amplifier fiber comprises dopant selected from the group consisting of Ge and P. Raman amplifier according to claim 1, further comprising means for tailoring a gain spectrum of the optical Raman amplifier.