Gitterkonstante

Dies wird mittels Bestimmung der Gitterkonstante durch Rietveld Verfeinerung bestätigt.

This is confirmed by determination of the lattice constant by Rietveld refinement.

Kubisches Gitter mit einer maximalen Gitterkonstante von ≤ 1 m

Cubic lattice with a maximum lattice constant of ≤ 1 m

Gitterkonstante

lattice spacing

gitterkonstante

Lattice constant

Die Gitterkonstante ist 80 µm.

The grid constant is 80 μm.

Die größere Gitterkonstante der mit derselben Detektionseinrichtung abzutastenden gröberen Messteilung betrage d = 1/512.

The larger grating constant of the coarser measuring graduation to be scanned using the same detection device would amount to d={fraction (1/512)}.

310 ), die aufeinanderfolgend auf eine zweite Oberfläche des Substrats (100) epitaktisch aufgewachsen sind und aus zumindest zwei Arten von Verbindungshalbleitern des ersten Leitungstyps mit verschiedenen Zusammensetzungsverhältnissen bestehen, einer auf einer Oberfläche der Gradientenschicht epitaktisch aufgewachsenen lichtabsorbierenden Schicht (400), einer Abdeckungsschicht (500), die auf einer Oberfläche der lichtabsorbierenden Schicht (400) ausgebildet ist und aus einem Verbindungshalbleitermischkristall des ersten Leitungstyps besteht, einem sich in die Abdeckungsschicht (500) erstreckenden ersten dotierten Diffusionsbereich (620) eines zweiten Leitungstyps und einer auf einer Oberfläche des ersten dotierten Bereichs (620) ausgebildeten zweiten Elektrode, dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter dotierter Diffusionsbereich (610) eines zweiten Leitungstyps angrenzend zu dem ersten dotierten Bereich (620) in einer Oberfläche der lichtabsorbierenden Schicht (400) ausgebildet ist, und daß die Abdeckungsschicht (500) und die an die lichtabsorbierende Schicht (400) angrenzende Unterschicht (310n) nahezu die gleichen Gitterkonstanten aufweisen, die größer als die der lichtabsorbierenden Schicht (400) sind, wobei das Ausmaß der Gitterfehlanpassung zwischen der lichtabsorbierenden Schicht (400) einerseits und der Abdeckungsschicht (500) und der Unterschicht (310n) andererseits zwischen -0,5% und -0,2% liegt, wodurch ein Dunkelstrom des Halbleiter-Photodetektors durch Zugkräfte verringert wird, welche in Richtung der jeweiligen Grenzflächen zwischen der lichtabsorbierenden Schicht und der Abdeckungsschicht (500) sowie der Unterschicht (310n) wirken, wobei die Kräfte eine Erhöhung der Gitterkonstante der lichtabsorbierenden Schicht (400) begünstigen.

310 ) sequentially epitaxially grown on the second surface of said substrate (100) and consisting of at least two types of compound semiconductors having the first conductivity type and different composition ratios; a light-absorbing layer (400) epitaxially grown on the surface of said graded layer; a capping layer (500), formed on the surface of said light-absorbing layer (400), and consisting of a compound semiconductor mixed crystal having the first conductivity type; a first doped diffused zone (620) extending in said capping layer (500), and having a second conductivity type; and a second electrode formed on a surface of said first doped zone (620), characterised in that: a second doped diffused zone (610) having a second conductivity type is formed adjacent said first doped zone (620) in the surface of said light-absorbing layer (400); in that the capping layer (500) and the sublayer (310n) adjacent the light-absorbing layer (400) have almost the same lattice constants which are greater than that of the light-absorbing layer (400), the degree of mismatch between the lattice constant of the light-absorbing layer (400) and the lattice constants of each of the capping layer (500) and the said sublayer (310n) respectively being between -0.5% and -0.2%, whereby a dark current of the semiconductor photodetector is decreased by tensile forces acting in the direction of the respective interfaces between the light-absorbing layer and each of the capping layer (500) and the sublayer (310n), said forces tending to increase the lattice constant of the light-absorbing layer (400).

Halbleitervorrichtung mit: einer ersten Halbleiterschicht (11, 21), die einen Einkristall aus einem ersten Halbleitermaterial aufweist, das Silizium beinhaltet und das eine erste Gitterkonstante besitzt; einer zweiten Halbleiterschicht (12b, 23b), die einen Einkristall aus einem zweiten Halbleitermaterial aufweist, das Galliumarsenid beinhaltet und das eine zweite Gitterkonstante besitzt, die von der ersten Gitterkonstante verschieden ist, und auf der eine aktive Halbleitervorrichtung (Tr) vorgesehen ist; einer dritten Halbleiterschicht (12a, 23a), die ein drittes Halbleitermaterial aufweist, das Galliumarsenid beinhaltet und das eine dritte Gitterkonstante besitzt, die von der ersten Gitterkonstante verschieden ist, wobei die dritte Halbleiterschicht auf der ersten Halbleiterschicht heteroepitaxial gewachsen ist und eine Heteroübergang-Grenzfläche mit dieser bildet; und mit einer vierten Halbleiterschicht (13, 24), die ein viertes Halbleitermaterial aus Indiumgalliumarsenid, Galliumarsenphosphid oder Indiumgalliumphosphid aufweist, das eine vierte Gitterkonstante besitzt, die von der dritten Gitterkonstante verschieden ist, wobei die vierte Halbleiterschicht auf der dritten Halbleiterschicht heteroepitaxial gewachsen ist und eine Heteroübergang-Grenzfläche mit dieser bildet, wobei die vierte Halbleiterschicht derart angeordnet ist, daß die zweite Halbleiterschicht darauf vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitervorrichtung ferner eine fünfte Halbleiterschicht (14, 25) aufweist, die eine verspannte Übergitter-Struktur besitzt und zwischen der zweiten Halbleiterschicht (12b, 23b) und der vierten Halbleiterschicht (13, 24) vorgesehen ist, um zu verhindern, daß Versetzungen nach Durchlaufen der vierten Halbleiterschicht die zweite Halbleiterschicht erreichen.

A semiconductor device comprising : a first semiconductor layer (11, 21) comprising a single crystal of a first semiconductor material comprising silicon, having a first lattice constant; a second semiconductor layer (12b, 23b) comprising a single crystal of a second semiconductor material comprising gallium arsenide, having a second lattice constant which is different from the first lattice constant and on which is provided an active semiconductor device (Tr); a third semiconductor layer (12a, 23a) comprising a third semiconductor material comprising gallium arsenide, having a third lattice constant which is different from the first lattice constant, said third semiconductor layer being grown heteroepitaxially on the first semiconductor layer and forming a heterojunction interface therewith; and a fourth semiconductor layer (13, 24) comprising a fourth semiconductor material of indium gallium arsenide, gallium arsenic phosphide or indium gallium phosphide, having a fourth lattice constant which is different from the third lattice constant, said fourth semiconductor layer being grown heteroepitaxially on the third semiconductor layer and forming a heterojunction interface therewith, said fourth semiconductor layer being disposed so that the second semiconductor layer is provided thereon, characterized in that said semiconductor device further comprises a fifth semiconductor layer (14, 25) having a strained supcrlattice structure provided between the second semiconductor layer (12b, 23b) and the fourth semiconductor layer (13, 24) for preventing dislocations from reaching the second semiconductor layer after passing through the fourth semiconductor layer.