Halbleiterplättchen

Die beiden Halbleiterplättchen (1, 2) sind aufeinander gestapelt in einer Zündpulver enthaltenden Kapsel des Anzünders angeordnet.

Both chips (1, 2) are stacked in a capsule of the igniter containing an igniting powder.

Verfahren zum Zerteilen von Halbleiterplättchen.

Method of dicing a semiconductor wafer.

Versandverpackung für Halbleiterplättchen

Wafer shipper and package

Die erfindungsgemäßen Organopolysilane können des weiteren zur Herstellung von negativen Photoresistbeschichtungen, beispielsweise bei der Erzeugung von Leiterplatten und Halbleiterbauteilen in für die Herstellung von negativen Photoresistbeschichtungen aus Organopolysilanen an sich bekannter Weise eingesetzt werden, wobei erfindungsgemäß hergestelltes Organopolysilan auf eine geeignete, glatte oder ebene Unterlage wie ein Halbleiterplättchen aufgebracht, durch eine Maske hindurch belichtet wird, wonach die unbelichteten Teile des Organopolysilanüberzugs mit einem Lösungsmittel, wie Toluol, von den belichteten, vernetzten Stellen des Überzugs getrennt werden.

The organopolysilanes of this invention can also be employed in the production of negative photoresist coatings, for example in the manufacture of circuit boards and semiconductor components in a manner known per se for the production of negative photoresist coatings of organopolysilanes In this application, an organopolysilane prepared according to this invention is applied to a suitable smooth or planar substrate, such as a semiconductor chip, the coating is exposed through a mask, and the unexposed areas of the organopolysilane coating are separated from the exposed, crosslinked areas using a solvent, such as toluene.

Verfahren zur Endpunkterfassung in einem Halbleiterplättchen-Ätzsystem mit folgenden Schritten: Parken eines Strahlungsenergiestrahles auf einem bevorzugten Lichtpunkt auf der Oberfläche eines Halbleiterplättchens, Erfassen des reflektierten Teils des Strahls zur Bestimmung einer tatsächlichen Ätzkurve, und Analysieren des reflektierten Teils zur Bestimmung, wann die Oberfläche an dem bevorzugten Lichtpunkt durchgeätzt wurde, durch Vergleichen der tatsächlichen Ätzkurve mit einer projizierten Ätzkurve.

A method for endpoint detection in a semiconductor wafer etching system comprising the steps of: parking a beam of radiant energy on a preferred spot of a semiconductor wafer surface; detecting a reflected portion of said beam to determine an actual etching curve; and analyzing said reflected portion to determine when said surface at said preferred spot has been etched through by comparing said actual etching curve to a projected etching curve.