Halbleiterwafer

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Lagerbehälter für Halbleiterwafer

Storage container for semiconductor wafers

Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Verbindungshalbleitersubstrats, Herstellungsverfahren für den Verbindungshalbleiter, Verbindungshalbleitersubstrat und Halbleiterwafer

Surface treatment method of compound semiconductor substrate, fabrication method of compound semiconductor, compound semiconductor substrate, and semiconductor wafer

Passivierungsschichten auf der Suszeptoroberfläche vermindern auch das Anbacken der Halbleiterwafer an der Suszeptoroberfläche am Ende des Thermomigrationsprozesses als reaktive AlSi-Schmeize.

Passivating layers on the susceptor surface also reduce the risk of the semiconductor wafer baking on the susceptor surface at the end of the thermomigration process as a reactive AlSi-melt.

Aktives phasengesteuertes Gruppenantennensystem (1a, 1b) wobei das aktive Antennensystem Radiofrequenzsignale einer vorbestimmten Frequenz von der Umgebung ausserhalb des aktiven phasengesteuerten Gruppenantennensystems (1a, 1b) erzeugen, senden, empfangen und analysieren kann, das folgendes umfasst: ein logisches Steuergerät (5), das verschlüsselte Signale von einer zentralen Verabeitungseinheit (2) empfangen kann, wobei das logische Steuergerät (5) weiterhin die verschlüsselten Signale von der zentralen Verarbeitungseinheit (2) entschlüsseln kann, und die verschlüsselten Signale in Ausgangsspannungen umwandeln kann, wobei das logische Steuergerät (5) die elektronischen Geräte der individuellen Sende-Empfangszellen (7) mit den Ausgangsspannungen beliefern kann, dabei die Phasenschieberfähigkeiten der Geräte steuern kann; einen Radiofrequenzsignalerzeuger als Komponente der zentralen Verarbeitungseinheit (2), wobei der Radiofrequenzsignalerzeuger das Radiofrequenzsignal vorbestimmter Frequenz erzeugen kann, wobei das erzeugte Signal von den ausgewählten elektronischen Geräten der individuellen Sende-Empfangszellen (7) gedämpft, phasenverschoben und verstärkt werden kann; einen empfangenen Signalanalysator, als weitere Komponente der zentralen Verarbeitungseinheit (2), wobei der empfangene Signalanalysator ein Radiofrequenzsignal, das von der Umgebung ausserhalb des aktiven phasengesteuerten Gruppenantennensystems (1a, 1b) empfangen wird, analysieren und deuten kann; einen Signalisolator (13), wobei der Signalisolator (13) das gesendete Radiofrequenzsignal und das empfangene Radiofrequenzsignal getrennt halten kann; einen Hitzeableiter (11), der Hitze von der Sende-Empfangsgruppe ableiten kann, wobei die Hitze von den elektronischen Geräten der individuellen Sende-Empfangszellen (7) gebildet wird, wobei die elektronischen Geräte das Radiofrequenzsignal verstärken können; einen Gleichstromenergieerzeuger (8), wobei der Erzeuger (8) elektrische Energie an den selektiv miteinander verbundenen elektronischen Geräten der Sende-Empfangsgruppe erzeugen kann; eine Antenne (14), wobei die Antenne (14) das von den Sende-Empfangszellen gedämpfte, phasenverschobene und verstärkte Radiofrequenzsignal zur Umgebung ausserhalb des aktiven phasengesteuerten Gruppenantennensystems (1a, 1b) senden kann, wobei die Antenne (14) weiterhin das schwache, reflektierte Signal von der Umgebung ausserhalb des Systems (1a, 1b) empfangen kann, dadurch gekennzeichnet, dass: die Sende-Empfangszellen ein monolithisch integrierter Kreis sind, der eine Vielzahl von individuellen Sende-Empfangszellen (7) umfasst, wobei die Sende-Empfangszellen (7) eine Vielzahl von redundanten elektronischen Geräten umfassen, wobei alle Sende-Empfangszellen (7) auf einem gemeinsamen Halbleiterwafer (17) angebracht sind, wobei die redundanten elektronischen Geräte durch gegehrte mechanische Schalter (27) selektiv dauerhaft miteinander verbunden sind, wobei die miteinander verbundenen elektronischen Geräte Sende- oder Empfangskreise während der Sende-Empfangsgruppenherstellung und -prüfung bilden; wobei weiterhin die selektiv dauerhaft miteinander verbundenen elektronischen Geräte in den Sende- oder Empfangskreisen ein ganzes 0 bis 360°-Radiofrequenzsignal dämpfen, phasenverschieben können, und unter Leistung verstärken können, wobei das Signal in der aktiven Antennenvorrichtung erzeugt wird, oder mit geringem Rauschen ein ganzen 0 bis 360°-KRadiofrequenzsignal verstärken, dämpfen und phasenverschieben können, das von ausserhalb des aktiven phasengesteuerten Gruppenantennensystems (1a, 1b) empfangen wird.

A phased-array active antenna system (1a, 1b) said active antenna system operable to generate, transmit, receive and analyze radio frequency signals of a predetermined frequency from the environment outside of said phased-array active antenna system (1a, 1b) which comprises : a logic controller (5) operable to receive coded signals from a central processing unit (2), said logic controller (5) further operable to decode said coded signals from said central processing unit (2) and convert said coded signals into output voltages, said logic controller (5) operable to supply said electronic devices of said individual transmit-receive cells (7) with said output voltages thereby controlling said devices phase shifting capabilities; a radio frequency signal generator as a component of said central processing unit (2), said radio frequency signal generator operable to generate said radio frequency signal of predetermined frequency, said generated signal operable to be attenuated, phase shifted and amplified by said selected electronic devices of said individual transmit-receive cells (7); a received signal analyzer, as a further component of said central processing unit (2), said received signal analyzer, operable to analyze and interpret a radio frequency signal received from the environment outside of said phased array active antenna system (1a, 1b); a signal isolator (13), said signal isolator (13) operable to keep separate said transmitted radio frequency signal and said received radio frequency signal; a heat dissipator (11) operable to dissipate heat away from said transmit-receive array, said heat formed from said electronic devices of said individual transmit-receive cells (7), said electronic devices operable to amplify said radio frequency signal; a direct current energy generator (8), said generator (8) operable to generate electrical energy to said selectively interconnected electronic devices of said transmit-receive array; an antenna (14), said antenna (14) operable to transmit said radio frequency signal attenuated, phase shifted and amplified by said transmit-receive cells to the environment outside of said phased array active antenna system (1a, 1b), said antenna (14) further operable to receive said weak, reflected signal from said environment outside of the system (1a, 1b), characterized by: said transmit-receive cells being a monolithic integrated circuit comprising a plurality of individual transmit-receive cells, said transmit-receive cells (7) comprising, a multiplicity of redundant electronic devices, all of said transmit-receive cells (7) mounted upon a common semiconductor wafer (17), said redundant electronic devices being selectively permanently, interconnected by mitered mechanical switches (27), said interconnected electronic devices forming transmit or receive circuits during said transmit-receive array fabrication and test; further, said selectively, permanently, interconnected electronic devices in said transmit or said receive circuits being operable to attenuate, phase-shift a full 0 to 360°; and power amplify a radio frequency signal generated within said active antenna apparatus (1a, 1b) or low noise amplify, attenuate and phase shift a full 0 to 360° a radio frequency signal received from outside of said phase array active antenna system (1a, 1b).

VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SILIZIUMNITRIDSCHICHT AUF EINEM HALBLEITERWAFER

A METHOD OF FORMING A SILICON NITRIDE LAYER ON A SEMICONDUCTOR WAFER

Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Deformationseinrichtung erste Halteeinrichtungen (6A) zum Halten und Deformieren des ersten Halbleitersubstrats (50A) einschließt; wobei die Vorrichtung ferner gekennzeichnet ist durch zweite Halteeinrichtungen (6B) zum Halten des zweiten Halbleitersubstrats (50B), erste Gehäuseeinrichtungen (22A) zum Aufnehmen der ersten Halteeinrichtungen (6A), und zweite Gehäuseeinrichtungen (22B) zum Aufnehmen der zweiten Halteeinrichtungen (6B) und zum Ansetzen an die ersten Gehäuseeinrichtungen (22A), um eine Kammer (52) um die ersten und zweiten Halbleiterwafer zu bilden, wenn diese von den ersten und zweiten Halteeinrichtungen gehalten werden, wobei die Druckreduziereinrichtungen (20) mit der Kammer (52) verbunden sind, um den Druck in der Kammer (52) zu reduzieren, um das deformierte, erste Halbleitersubstrat (50A) zu ebenen.

The apparatus according to claim 6, characterized in that said warping means includes first holding means (6A) for holding and warping the first semiconductor substrate (50A); the apparatus being further characterized by second holding means (6B) for holding the second semiconductor substrate (50B), first housing means (22A) for housing said first holding means (6A), and second housing means (22B) for housing said second holding means (6B) and for joining said first housing means (22A) to form a chamber (52) about said first and second semiconductor wafers when held by said first and second holding means, said pressure reducing means (20) being connected to said chamber (52) for reducing the pressure in said chamber (52) to flatten said warped first semiconductor substrate (50A).

Verfahren zum Entfernen eines organischen Resists auf einem Halbleiterwafer nach irgendeinem vorhergehenden Anspruch, bei dem eine Veraschungstemperatur für eine Veraschungsrate von unter 0,15 µm pro Minute niedriger als 150 °C ist.

A method for removing an organic resist on a semiconductor wafer according to any preceding claim, wherein an ashing temperature is lower than 150°C for an ashing rate of smaller than 0.15 µm per minute.