Löschzeit

Löschzeit im Programm X(5-50) / Messung prim: Spannung (0-15 siehe Tabelle)

Delete Time prim in X (5-50) / measurement program: Voltage (see Table 0-15)

Verfahren zur Fertigungsprüfung einer Flash-EEPROM-Vorrichtung mit einer Matrix von Speicherzellen (1) und Redundanz-Speicherzellen (1') zum funktionellen Auswechseln defekter Speicherzellen (1"), dadurch gekennzeichnet, daß es die folgenden Schritte aufweist: a) Programmieren aller Speicherzellen (1) der Speichervorrichtung; b) Unterziehen aller Speicherzellen (1) der Speichervorrichtung einem einleitenden elektrischen Löschen für eine Zeit, die um drei Größenordnungen kürzer als eine durchschnittliche Löschzeit der Speicherzellen (1) ist; c) Lesen der in allen Speicherzellen (1) der Speichervorrichtung gespeicherten Informationen; d) Merken der Adressen defekter Speicherzellen (1"), die beim Schritt c) als gelöschte Speicherzellen gelesen worden sind; e) Speichern der Zeilen- oder Spaltenadresse der defekten Speicherzellen (1") in Redundanz-Registern (15, 20) der Speichervorrichtung, die zu Redundanz-Speicherzellen (1') gehören, die die defekten Speicherzellen (1") auswechseln müssen.

A method for in-factory testing of a flash EEPROM device comprising a matrix of memory cells (1) and redundancy memory cells (1') for functionally substituting defective memory cells (1"), characterized by comprising the following steps: a) programming all the memory cells (1) of the memory device; b) submitting all the memory cells (1) of the memory device to a preliminary electrical erasure for a time that is three order of magnitude shorter than an average erasing time of the memory cells (1); c) reading the information stored in all the memory cells (1) of the memory device; d) memorizing the addresses of defective memory cells (1") which at step c) have been read as erased memory cell; e) storing the row or column address of the defective memory cells (1") in redundancy registers (15,20) of the memory device, associated to redundancy memory cells (1') which must substitute the defective memory cells (1").