Mischkristall

Mischkristall

Solid solution

die zusätzlich eingebrachten Kohlenstoff- und Stickstoffatome in gelöster Form im Mischkristall vorliegen

the additionally installed a carbon and nitrogen atoms exist in dissolved form in the solid solution

Sauerstoff verfeinert die Struktur des Materials und wird als Mischkristall-Verfestigungsmittel benutzt.

Oxygen contributes to a finer structure of the material and also is used as a solid-solution strengthener.

Sauerstoff verfeinert ebenfalls die Struktur und wird noch als Mischkristall-Verfestigungsmittel ausgenutzt.

Oxygen also reduces the size of the structure grains and is also used as a solid-solution strengthening agent.

Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Substrat (100) aus einem n-dotierten InP-Kristall besteht, die Gradientenschicht (300) aus zumindest zwei n-dotierten InAsP-Mischkristallunterschichten mit verschiedenen Zusammensetzungsverhältnissen von As und P zu In besteht, die lichtabsorbierende Schicht (400) aus einem n-dotierten InGaAs-Mischkristall besteht, und die Abdeckungsschicht (500) aus einem n-dotierten InAsP-Mischkristall besteht.

A device according to claim 1, wherein: said substrate (100) consists of an n-type InP crystal: said graded layer (300) consists of at least two n-type InAsP mixed crystal sublayers having different composition ratios of As and P to In; said light-absorbing layer (400) consists of an n-type InGaAs mixed crystal; and said capping layer (500) consists of an n-type InAsP mixed crystal.

Strahlung emittierende Halbleiterdiode mit einem Halbleiterkörper mit einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitungstyps, auf dem wenigstens in der nachfolgenden Reihenfolge eine erste Abdeckschicht (2) vom ersten Leitungstyp, eine aktive Schicht (3) und eine zweite Abdeckschicht (4) von einem zweiten Leitungstyp vorhanden sind, wobei die Abdeckschichten (2, 4) Indiumaluminiumgalliumphosphid (InAlGaP) und die aktive Schicht (3) Indiumgalliumphosphid (InGaP) als Halbleitermaterial enthalten, wobei diese Halbleitermaterialien je ein Mischkristall umfassen mit einem ersten und einem zweiten Teilgitter, wobei die Phosphoratome sich auf dem zweiten Teilgitter und die Atome der übrigen Elemente sich auf dem ersten Teilgitter befinden, und wobei sich zwischen dem Substrat (1) und der ersten Abdeckschicht (2) eine Pufferschicht (11) vom ersten Leitungstyp befindet, dadurch gekennzeichnet, dass die Verteilung der Atome verschiedener Elemente über das erste Hilfsgitter der Halbleitermaterialien der aktiven Schicht (3) und der Abdeckschichten (2, 4) ungeordnet ist, wodurch der Bandabstand dieser Schichten (2, 3, 4) zunimmt, dass die Pufferschicht (11) Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs) aufweist, wobei der Aluminiumgehalt wenigstens 9% beträgt, während der Bandabstand der aktiven Schicht durch die Unordnung um höchstens 0,09 eV zunimmt.

A radiation-emitting semiconductor diode comprising a semiconductor body with a semiconductor substrate (1) of a first conductivity type on which are at least present in that order a first cladding layer (2) of the first conductivity type, an active layer (3), and a second cladding layer (4) of a second conductivity type, the cladding layers (2,4) comprising indium-aluminium-gallium phosphide (InAlGaP) and the active layer (3) comprising indium-gallium phosphide (InGaP) as the semiconductor material, which semiconductor materials each comprise a mixed crystal having a first and a second sublattice, the phosphorus atoms being present on the second sublattice and the atoms of the other elements being present on the first sublattice, and in which a buffer layer (11) of the first conductivity type is disposed between the substrate (1) and the first cladding layer (2), characterized in that the distribution of the atoms of different elements over the first sublattice of the semiconductor materials of the active layer (3) and cladding layers (2,4) is disordered by which the bandgap of these layers (2,3,4) is increased, in that the buffer layer (11) comprises aluminium-gallium arsenide (AlGaAs) of which the aluminium content is at least 9 % while the bandgap of the active layer is increased by at most 0,09 eV through the disordering.

Strahlung emittierende Halbleiterdiode mit einem Halbleiterkörper mit einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitungstyps, aufdem wenigstens in der nachfolgenden Reihenfolge eine erste Abdeckschicht (2) vom ersten Leitungstyp, eine aktive Schicht (3) und eine zweite Abdeckschicht (4) von einem zweiten Leitungstyp vorhanden sind, wobei die Abdeckschichten (2, 4) Indiumaluminiumgalliumphosphid (InAlGaP) und die aktive Schicht (3) Indiumgalliumphosphid (InGaP) als Halbleitermaterial enthalten, wobei diese Halbleitermaterialien je ein Mischkristall umfassen mit einem ersten und einem zweiten Teilgitter, wobei die Phosphoratome sich auf dem zweiten Teilgitter und die Atome der übrigen Elemente sich aufdem ersten Teilgitter befinden, und wobei sich zwischen dem Substrat (1) und der ersten Abdeckschicht (2) eine Pufferschicht (11) vom ersten Leitungstyp befindet, dadurch gekennzeichnet, dass die Verteilung der Atome verschiedener Elemente über das erste Hilfsgitter des Halbleitermaterials der aktiven Schicht (3) und der Abdeckschichten (2, 4) ungeordnet ist, wodurch der Bandabstand dieser Schichten (2, 3, 4) zunimmt, dass die Pufferschicht (11) Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs) enthält, wobei der Aluminiumgehalt wenigstens 6% ist, während der Bandabstand der aktiven Schicht durch die Unordnung um wenigstens 0,03 eV erhöht wird.

A radiation-emitting semiconductor diode comprising a semiconductor body with a semiconductor substrate (1) of a first conductivity type on which are at least present in that order a first cladding layer (2) of the first conductivity type, an active layer (3), and a second cladding layer (4) of a second conductivity type, the cladding layers (2,4) comprising indium-aluminium-gallium phosphide (InAlGaP) and the active layer (3) comprising indium-gallium phosphide (InGaP) as the semiconductor material, which semiconductor materials each comprise a mixed crystal having a first and a second sublattice, the phosphorus atoms being present on the second sublattice and the atoms of the other elements being present on the first sublattice, and in which a buffer layer (11) of the first conductivity type is disposed between the substrate (1) and the first cladding layer (2), characterized in that the distribution of the atoms of different elements over the first sublattice of the semiconductor materials of the active layer (3) and cladding layers (2,4) is disordered by which the bandgap of these layers (2,3,4) is increased, in that the buffer layer (11) comprises aluminium-gallium arsenide (AlGaAs) of which the aluminium content is at least 6 % while the bandgap of the active layer is increased by at most 0.03 eV through the disordering.

Propylenpolymere nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das ?-nukleierte Propylenpolymer als ?-Nukleierungsmittel 0,0001 bis 2,0 Gew.-% Verbindungen vom Chinacridon-Typ, vorzugsweise Chinacridon, Dimethylchinacridon und/oder Dimethoxychinacridon; Verbindungen vom Chinacridonchinon-Typ, vorzugsweise Chinacridonchinon, einen Mischkristall von 5,12-Dihydro(2,3-b)acridin-7,14-dion mit Chino(2,3-b)acridin-6,7,13,14-(5H,12H)-tetron und/oder Dimethoxychinacridonchinon; und/oder Verbindungen vom Dihydrochinacridon-Typ, vorzugsweise Dihydrochinacridon, Dimethoxydihydrochinacridon und/oder Dibenzodihydrochinacridon, enthält.

Propylene polymers according to one of the claims 1 to 4, characterized in that the ?-nucleated propylene polymer contains 0.0001 to 2.0 wt% quinacridone type compounds, preferably quinacridone, dimethylquinacridone and/or dimethoxyquinacridone; quinacridonequinone type compounds, preferably quinacridonequinone, a mixed crystal of 5,12-dihydro(2,3b)acridine-7,14-dione with quino(2,3b)acridine-6,7,13,14-(5H, 12H)-tetrone and/or dimethoxyquinacridonequinone; and/or dihydroquinacridone type compounds, preferably dihydroquinacridone, dimethoxydihydroquinacridone and/or dibenzodihydroquinacridone, as ?-nudeating agent.