Schichtwiderstand

Der Schichtwiderstand des beschichteten Substrates wird überraschenderweise deutlich gesenkt.

The chambers are separated from each other by gas locks (6).

SCHICHTWIDERSTAND IM ABGASROHR

SHEET RESISTOR IN AN EXHAUST PIPE

Es geht um die Bereinigung unseres Ordercodes. Die gleichzeitige Verwendung von Drahtwiderständen und Schichtwiderständen unter einer Identnummer ist falsch. Wir müssen wissen, was die Kunden genau für einen Widerstandstyp mit unterschiedlichen Eigenschaften wollen. In der ersten Stückliste AN00K77106 TNT BOARD Luxe, nach welcher der Widerstand angelegt wurde, steht WW, was wohl Drahtwiderstand bedeutet. Wenn es wirklich ein Drahtwiderstand sein muss, kann nur SEI und VIS bleiben und die beiden Schichtwiderstände von YAGEO müssen verboten werden. Notfalls musst Du die Kunden fragen. Also bitte die Entscheidung: Drahtwiderstand oder Schichtwiderstand. Dieser Widerstand geht inzwischen in mehrere Baugruppen ein.

It concerns the adjustment of our order code. The simultaneous use of wire resistors and film resistors under an ID number is wrong.
 We need to know what want the customers exactly for a resistance type with different properties. The first BOM AN00K77106 TNT BOARD Luxe, after which the resistance was created, is WW, which probably means the resistor. If it really must be a resistor can only and remain VIS and the two film resistors by YAGEO must
 be prohibited. If necessary, you must ask the customer. So please the decision: resistor or film resistor. This resistance is now enters into multiple assemblies.

Durch die hohe Konzentration an schichtbildenden Ionen geht dabei der Schichtwiderstand durch ein Maximum.

Due to the high concentration of film-forming ions, the film resistance at the same time passes through a maximum.

Durch die hohe Konzentration an schichtbildenden Ionen geht dabei der spezifische Schichtwiderstand durch ein Maximum.

At the same time, due to the high concentration of lacquer-forming ions, the specific layer resistance passes through a maximum.

Dem Metall-Schichtwiderstand 30 sind Wärmeleitblöcke 33 aus einem Material hoher Wärmeleitfähigkeit zugeordnet, wobei die Wärmeleitblöcke 33 durch Rippen 34 vergrößerte Wärmeübergangsflächen zum Dehnstoff 12 aufweisen.

Heat conducting blocks 33 made of a material of a high caloric conductibility are assigned to the metal film resistor 30, the heat conducting blocks 33 having heat transmission surfaces to the expansion material 12 which are enlarged by ribs 34.

Die Wärmeableitung in den Dehnstoff ist weiter dadurch verbessert, daß dem jeweiligen Schichtwiderstand Wärmeleitblöcke aus einem Stoff/Material hoher Wärmeleitfähigkeit zugeordnet sind, wobei die Wärmeleitblöcke durch Rippen vergrößerte Wärmeübergangsflächen zum Dehnstoff aufweisen.

The heat dissipation into the expansion material is further improved in that heat conducting blocks made of a substance/material of a high caloric conductibility are assigned to the respective film resistor, the heat conducting blocks having heat transmission surfaces to the expansion material which are enlarged by ribs.

Verfahren für die Herstellung eines Detektors für die Energiebestimmung von Photonen oder geladenen Teilchen mit den Schritten: - Bereitstellen eines im wesentlichen aus Silizium bestehendes Bauelements, - Einbringen von Lithium durch Diffusion in eine n-, n - - oder n + -Schicht des Bauelements, - Abtragen eines Teils dieser Schicht, - Verarbeitung des Bauelements derart, dass hieraus der Detektor entsteht, dadurch gekennzeichnet, dass der Schichtwiderstand an der Oberfläche der n-, n - - oder n + -Schicht während des Abtragens ermittelt und das Abtragen gestoppt wird, wenn der gemessene Schichtwiderstand einen vorgegebenen Wert erreicht, der zwischen 1.000 und 20.000 ?/? liegt, wobei die n-, n - - oder n + -Schicht soweit abgetragen wird, bis so eine tote Zone bereitgestellt werden kann, die 0,5 bis 5 µm dick ist.

Process for producing a detector for determining the energy of photons or charged particles and having the following stages: - the preparation of a component element made essentially from silicon, - the introduction of lithium into an n, n - or n + layer of the component blank by diffusion, - the removal of part of this layer, - machining of the component, giving rise to a detector, characterized in that the film resistance on the surface of the n, n - or n + layer is recorded and the removal of material is stopped when the measured film resistance reaches a set value of between 1,000 and 20,000 ?/?, whereby the n, n - or n + layer is removed until a dead layer of from 0.5 to 5.0 µm can be produced.