Stromweg

Stromweg

Current path

Eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung, umfassend: einen ersten und zweiten Oszillatortransistor (1, 17), worin die Basen des genannten ersten und zweiten Oszillatortransistors (1, 17) direkt oder über einen Kondensator (4), dessen Impedanz niedriger als ein Wert ist, für den eine Oszillation bei einer Oszillationsfrequenz auftreten kann, aneinander angeschlossen sind, und worin eine Differentialsignalausgabe von zwischen den Emittern des genannten ersten und zweiten Oszillatortransistors (1, 17) erhalten wird, und einen ersten Pufferverstärkertransistor (41), dessen Basis an dem Ausgangsanschluss des Emitters des genannten ersten Oszillatortransistors (1) angeschlossen ist; und einen zweiten Pufferverstärkertransistor (42), dessen Basis an dem Ausgangsanschluss des Emitters des genannten zweiten Oszillatortransistors (17) angeschlossen ist, worin die Emitter des ersten und zweiten Puffertransistors (41, 42) direkt oder über einen Kondensator (4, 45), dessen Impedanz niedriger als ein Wert ist, für den eine Oszillation bei einer Oszillationsfrequenz auftreten kann, aneinander angeschlossen sind, und worin nach Verstärkung eine Differentialsignalausgabe von zwischen den Kollektoren des genannten ersten und zweiten Puffertransistors (41, 42) als eine Oszillatorausgabe erhalten wird, gekennzeichnet durch einen ersten Induktor (10), der zwischen dem Kollektor des genannten ersten Oszillatortransistors (1) und dem Emitter des genannten ersten Pufferverstärkertransistors (41) angeschlossen ist; und einen zweiten Induktor (25), der zwischen dem Kollektor des genannten zweiten Oszillatortransistors (17) und dem Emitter des genannten zweiten Pufferverstärkertransistors (42) angeschlossen ist, worin derselbe Stromweg für einen Emitterstrom von dem genannten ersten Pufferverstärkertransistor (41) und einen Kollektorstrom von dem genannten ersten Oszillatortransistor (1) verwendet wird, und worin derselbe Stromweg für einen Emitterstrom von dem genannten zweiten Pufferverstärkertransistor (42) und einen Kollektorstrom von dem genannten zweiten Oszillatortransistor (17) verwendet wird.

A high-frequency oscillating circuit comprising: a first and a second oscillating transistors (1, 17), wherein the bases of said first and second transistors (1, 17) are connected together directly or via a capacitor (4) the impedance of which is lower than a value at which oscillation can occur at an oscillating frequency, and wherein a differential signal output is obtained from between the emitters of said first and second oscillating transistors (1, 17), and a first buffer amplifier transistor (41) the base of which is connected to the output terminal of the emitter of said first oscillating transistor (1); and a second buffer amplifier transistor (42) the base of which is connected to the output terminal of the emitter of said second oscillating transistor (2), wherein the emitters of the first and second buffer transistors (41, 42) are connected together directly or via a capacitor (4, 45) the impedance of which is lower than a value at which oscillation can occur at an oscillating frequency, and wherein after amplification, a differential signal output is obtained from between the collectors of said first and second buffer transistors (41, 42) as an oscillating output, characterized by a first inductor (10) connected between the collector of said first oscillating transistor (1) and the emitter of said first buffer amplifier transistor (41); and a second inductor (25) connected between the collector of said second oscillating transistor (17) and the emitter of said second buffer amplifier transistor (42), wherein the same current path is used for an emitter current from said first buffer amplifier transistor (41) and a collector current from said first oscillating transistor (1), and wherein the same current path is used for an emitter current from said second buffer amplifier transistor (42) and a collector current from said second oscillating transistor (17).

Eine Hochfrequenz-Oszillatorschaltung, umfassend: einen ersten und zweiten Oszillatortransistor (1, 17), worin die Kollektoren des genannten ersten und zweiten Oszillatortransistors (1, 17) direkt oder über einen Kondensator (4), dessen Impedanz niedriger als ein Wert ist, für den eine Oszillation bei einer Oszillationsfrequenz auftreten kann, aneinander angeschlossen sind, und worin eine Differentialsignalausgabe von zwischen den Emittern des genannten ersten und zweiten Oszillatortransistors (1, 17) erhalten wird, einen ersten Pufferverstärkertransistor (41), dessen Basis an dem Ausgangsanschluss des Emitters des genannten ersten Oszillatortransistors (1) angeschlossen ist; und einen zweiten Pufferverstärkertransistor (42), dessen Basis an dem Ausgangsanschluss des Emitters des genannten zweiten Oszillatortransistors (17) angeschlossen ist, worin die Emitter des ersten und zweiten Puffertransistors (41, 42) direkt oder über einen Kondensator (4, 45), dessen Impedanz niedriger als ein Wert ist, für den eine Oszillation bei einer Oszillationsfrequenz auftreten kann, aneinander angeschlossen sind, und worin nach Verstärkung eine Differentialsignalausgabe von zwischen den Kollektoren des genannten ersten und zweiten Puffertransistors (41, 42) als eine Oszillatorausgabe erhalten wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Kollektor des genannten ersten Oszillatortransistors (1) an dem Emitter des genannten ersten Pufferverstärkertransistors (41) angeschlossen ist, und der Kollektor des genannten zweiten Oszillatortransistors (17) an dem Emitter des genannten zweiten Pufferverstärkertransistors (42) angeschlossen ist, worin derselbe Stromweg für einen Emitterstrom von dem genannten ersten Pufferverstärkertransistor (41) und einen Kollektorstrom von dem genannten ersten Oszillatortransistor (1) verwendet wird, und worin derselbe Stromweg für einen Emitterstrom von dem genannten zweiten Pufferverstärkertransistor (42) und einen Kollektorstrom von dem genannten zweiten Oszillatortransistor (17) verwendet wird.

A high-frequency oscillating circuit comprising: a first and a second oscillating transistors (1, 17), wherein the collectors of said first and second transistors (1, 17) are connected together directly or via a capacitor (4) the impedance of which is lower than a value at which oscillation can occur at an oscillating frequency, and wherein a differential signal output is obtained from between the emitters of said first and second oscillating transistors (1, 17), a first buffer amplifier transistor (41) the base of which is connected to the output terminal of the emitter of said first oscillating transistor (1); and a second buffer amplifier transistor (42) the base of which is connected to the output terminal of the emitter of said second oscillating transistor (2), wherein the emitters of the first and second buffer transistors (41, 42) are connected together directly or via a capacitor (4, 45) the impedance of which is lower than a value at which oscillation can occur at an oscillating frequency, and wherein after amplification, a differential signal output is obtained from between the collectors of said first and second buffer transistors (41, 42) as an oscillating output, characterized in that the collector of said first oscillating transistor (1) is connected to the emitter of said first buffer amplifier transistor (41), and the collector of said second oscillating transistor (17) is connected to the emitter of said second buffer amplifier transistor (42), wherein the same current path is used for an emitter current from said first buffer amplifier transistor (41) and a collector current from said first oscillating transistor (1), and wherein the same current path is used for an emitter current from said second buffer amplifier transistor (42) and a collector current from said second oscillating transistor (17).

Halbleiterschaltkreis nach Anspruch 19, wobei das erste Störstellengebiet biet hoher Konzentration (201) mit einem Erweiterungsteil (300) verbunden ist, so daß bei Beginn des Entladungsvorgangs der elektrostatischen Energie durch das Schutzelement ein dritter Stromweg (I3) für Elektronen oder Löcher in dem Isoliergebiet zwischen dem Erweiterungsteil (300) und dem zweiten Störstellengebiet hoher Konzentration (202) gebildet wird.

The switching circuit device of claim 19, wherein the first high concentration impurity region (201) is connected to an extension part (300) so that upon the start of discharging process of the electrostatic energy through the protecting element a third current path (I3) for electron or hole is formed in the insulating region between the extension part (300) and the second high concentration impurity region (202).

Halbleiterschaltkreis nach Anspruch 21, wobei das erste Störstellengebiet biet hoher Konzentration (201) mit einem Erweiterungsteil (300a) verbunden ist, so daß bei Beginn des Entladungsvorgangs der elektrostatischen Energie durch das Schutzelement (200) ein dritter Stromweg (I3) für Elektronen oder Löcher in dem Isoliergebiet zwischen dem Erweiterungsteil (300d) und dem zweiten Störstellengebiet hoher Konzentration (202) gebildet wird.

The switching circuit device of claim 21, wherein the first high concentration impurity region (201) is connected to an extension part (300a) so that upon the start of discharging process of the electrostatic energy through the protecting element (200) a third current path (I3) for electron or hole is formed in the insulating region between the extension part (300d) and the second high concentration impurity region (202).

Halbleiterschaltkreis nach Anspruch 22, wobei das zweite Störstellengebiet hoher Konzentration (202) mit einem weiteren Erweiterungsteil (300b) verbunden ist, so daß bei Beginn des Entladungsvorgangs der elektrostatischen Energie durch das Schutzelement (200) ein vierter Stromweg für Elektronen oder Löcher in dem Isoliergebiet zwischen dem weiteren Erweiterungsteil (300b) und dem ersten Störstellengebiet biet hoher Konzentration (201) gebildet wird.

The switching circuit device of claim 22, wherein the second high concentration impurity region (202) is connected to another extension part (300b) so that upon the start of discharging process of the electrostatic energy through the protecting element (200) a fourth current path for electron or hole is formed in the insulating region between said another extension part (300b) and the first high concentration impurity region (201).

Sollte ein Körperstrom in der Konstellation der vorherigen Abbildung auf dem Stromweg „Hand-zu-Hand“ fließen, wie hoch wäre dieser Strom bei einem Körperwiderstand von 1 Ω und einer Potentialdifferenz von 384 V?

If a body in the current constellation of the previous figure on the current path flow "Hand-to-hand" how high that would flow from a body resistance of 1 Ω and a potential difference of 384 V?

Schere nach Anspruch 1, wobei die isolierte Kabelverbindung mit einer gesteuerten Stromversorgungskonsole von dem Handgriff (41) nur eines Messers der Schere abgeht; und wobei der elektrische Stromweg zu dem Heizwiderstand des anderen Messers der Schere außerdem eine elektrische Überbrückungsverbindung aufweist, die zwischen dem Schwenkpunkt (37, 38) und dem Handgriffbereich (40, 41) der beiden Messer der Schere angeordnet ist.

The scissors as defined in claim 1, wherein said insulated cable connection to a controlled power supply console departs from the handle portion (41) of only one knife of the scissors; the electric current path to the heating resistor of the other knife of the scissors comprising further a bridging electric connection arranged between the pivot point (37, 38) and the handle portion (40, 41) of the two knives of the scissors.