Vorspannungs...

Frequenzmodulationsschaltung nach Anspruch 2, bei welcher die Vorspannungsmittel ein Vorspannungs-Erzeugungsmittel (12) zum Erzeugen der Vorspannung enthalten, die einer Stromversorgungsspannung (V CC ) des monolytischen IC zugeordnet ist.

A frequency modulation circuit in accordance with claim 2, wherein said biasing means includes bias voltage producing means (12) for generating said bias voltage which is associatd with a power source voltage (V CC ) of said monolithic IC.

Frequenzmodulationsschaltung nach Anspruch 3, bei welcher das Vorspannungs-Erzeugungsmittel eine Spannungsteilerschaltung (22) enthält, welche die Stromversorgungsspannung (V CC ) teilt.

A frequency modulation circuit in accordance with claim 3, wherein said bias voltage producing means includes a voltage-dividing circuit (22) which divides said power source voltage (V CC ).

Frequenzmodulationsschaltung nach Anspruch 3, bei welcher das Vorspannungs-Erzeugungsmittel eine Spannungsteilerschaltung (22), welche die Stromquellenspannung teilt, und einen Spannungsfolger (12), der eine Ausgabe der Spannungsteilerschaltung empfängt, enthält.

A frequency modulation circuit in accordance with claim 3, wherein said bias voltage producing means includes a voltage-dividing circuit (22) which divides said power source voltage and a voltage follower (12) which receives an output of said voltage-dividing circuit.

Verfahren zur Kalibrierung der temperaturabhängigen Vorspanndrift eines Vibrationsstrukturkreisels über einen Betriebstemperaturbereich, der eine im Wesentlichen planare, im Wesentlichen ringförmige Siliziumvibrationsstruktur (1) aufweist, wobei primäre Antriebsmittel (7) zur Einleitung und Aufrechterhaltung der Vibrationsstruktur in der Trägermodenresonanz und sekundäre Antriebsmittel (9) vorgesehen sind, um die Ansprechmodenbewegung der Vibrationsstruktur zu nullen, wobei die sekundären Antriebsmittel Mittel aufweisen, um ein detektiertes Ansprechmodenbewegungs-Signal in eine reelle Komponente, die durch angewandte Drehung des Vibrationsstrukturkreisels induziert wird und eine Quadraturkomponente zu trennen, die einen Fehlerausdruck bildet, der eine Fehlausrichtung zwischen der Trägermodenresonanzfrequenz und der Ansprechmodenresonanzfrequenz anzeigt, wobei die folgenden Schritte durchgeführt werden: es wird über einen Betriebstemperaturbereich des Vibrationsstrukturkreisels die Antriebsspannung P (4) gemessen, die ein Maß der Änderung im Wertefaktor LQ der Vibrationsstruktur in Abhängigkeit von der Temperatur ist; es wird die Vibrationsstrukturfrequenz f (5) gemessen, die ein Maß der Änderung der Temperatur der Vibrationsstruktur ist; es werden die sekundären Antriebsquadraturkomponentenwerte Sq (6) gemessen, was ein Maß der reellen Komponentenvorspannfehler in Abhängigkeit von der Temperatur ist; und es werden die reellen sekundären Antriebskomponentenwerte S r (3) gemessen, die ein Maß der Änderung in der Vorspannung darstellen, die die Null-Trägheitsgeschwindigkeitsversetzung des Vibrationsstrukturkreisels in Abhängigkeit von der Temperatur ist; und es werden die Werte substituiert, die in der folgenden Beziehung enthalten sind wobei ? klm die Vorspannungs-Kalibrierkoeffizienten für den Vibrationsstrukturkreisel über dem Betriebstemperaturbereich sind und wobei aus der Beziehung die Koeffizienten ? klm berechnet werden, um eine Gruppe von Vorspannungs-Kalibrierkoeffizienten für den Vibrationsstrukturkreisel über den getesteten Betriebstemperaturbereich zu schaffen.

A method of calibrating bias drift with operating temperature over an operating temperature range for a vibrating structure gyroscope having a substantially planar, substantially ring shaped silicon vibrating structure (1), primary drive means (7) for putting and maintaining the vibrating structure in carrier mode resonance, and secondary drive means (9) for nulling response mode motion of the vibrating structure, which secondary drive means includes means to separate a detected response mode motion signal into a real component induced by applied rotation of the vibrating structure gyroscope and a quadrature component which is an error term indicative of error mismatch between carrier mode resonance frequency and response mode resonance frequency, including the steps of measuring, over an operating temperature range of the vibrating structure gyroscope, primary drive means voltage P (4) which is a measure of change in quality factor LQ of the vibrating structure with temperature, vibrating structure frequency f (5) which is a measure of change of temperature of the vibrating structure, secondary drive quadrature component values Sq (6) which is a measure of real component bias errors with temperature, and secondary drive real component values Sr (3) whlich is a measure of change in bias, that is the zero inertial rate offset, of the vibrating structure gyroscope with temperature, substituting the values obtained in the relationship where a klm are bias calibration coefficients for the vibrating structure gyroscope over the operating temperature range, and calculating from the relationship the coefficients a klm to provide a set of bias calibration coefficients for the vibrating structure gyroscope over the tested operating temperature range.