aufdampfen

aufdampfen

Evaporation

aufdampfen

vapor deposition

29.24.40.50 | Apparate und Vorrichtungen zum Aufdampfen von Metall im Vakuum | 8419.89.30 | p/st @ | S | |

29.24.40.50 | Vacuum-vapour plant for the deposition of metal | 8419.89.30 | p/st @ | S | |

ex84198998 | 30 | Gerät zum Aufdampfen von Parylen-Polymer zur Verwendung bei der Herstellung von mit Medikamenten beschichteten Stents [1] | 0 % | 1.1.2010- 31.12.2012 |

ex84198998 | 30 | Apparatus for vapour deposition of parylene for use in the manufacture of drug eluting stents [1] | 0 % | 1.1.2010- 31.12.2012 |

Verbindungstechnik durch Aufdampfen von Metalllegierungen (GOld/ZInn

Connectivity through evaporation of metal alloys (GOld/Tin

Eine bevorzugte Methode Filter und Lichtquelle auf das Fenster zu bringen ist das Aufdampfen geeigneter Schichten.

An exemplary method of applying the filter and light source to the window is to coat suitable layers by evaporation.

Eine aus Metall bestehende Innenschicht kann durch Aufkaschieren oder durch Aufdampfen auf die Papierschicht 18 aufgebracht sein.

The folding webs of top wall are joined together by thermal sealing.

Ein Verfahren, um einen Film, der amorphes hydriertes Bornitrid (a-BN:H) umfaßt, auf einem Substrat durch plasmagestütztes chemisches Aufdampfen ausgehend von borazinhaltigen gasförmigen Vorläuferstoffen herzustellen, worin das a-BN:H als harter, transparenter Film auf diesem Substrat bei einer Temperatur von weniger als etwa 200°C aus einem Ionenfluß abgeschieden wird, der durch plasmagestütztes chemisches Aufdampfen aus gasförmigen Vorläuferstoffen, die Ammoniak und Borazin in einem Molverhältnis zwischen etwa 1:1 und 5:1 umfassen, in einem RF/HF- Plasmasystem erzeugt wird, das bei einem Druck von weniger als 133 Pa (1 Torr) gehalten wird, wobei dieses Substrat bei einem Potential zwischen -150 und -900 V bezüglich des vom System erzeugten Plasmas gehalten wird und die kinetische Energie dieser lonen zwischen 50 und 300 Elektronvolt (eV) pro lon liegt.

A process for producing a film comprising amorphous hydrogenated boron nitride (a-BN:H) on a substrate by plasma-enhanced chemical vapour deposition from gaseous precursor materials containing borazine, wherein a-BN:H is deposited as a hard, transparent film on said substrate at a temperature of less than about 200°C from a flux of ions generated by plasma-enhanced chemical vapour deposition from gaseous precursor materials comprising ammonia and borazine in a molar ratio between about 1:1 and 5:1 in a radio-frequency plasma system maintained at a pressure less than 133 Pa (1 Torr), said substrate being maintained at a potential of between -150 and -900 volts relative to the plasma generated by the system and the kinetic energy of said ions being between 50 and 300 electron volts (eV) per ion.