stehende Welle

Hier entsteht eine stehende Welle deren Magnetfeld im Zentrum des Hohlraumresonators maximaleist ist

Here is a standing wave whose magnetic field is maximum payable in the center of the cavity

Stehende Welle

Standing wave

stehende Welle im Kantenisola-tionsbecken

standing wave in the edge Isola-tion basin

Grund dafür ist die „stehende“ Welle an der Eisbachbrücke, die sich mittlerweile zur Pilgerstätte von Surfbegeisterten und Schaulustigen aus aller Welt entwickelt hat.

The reason for this is the "standing" wave at the Eisbach Bridge, which has now become a pilgrimage site for surf enthusiasts and spectators from around the world.

Ein Verfahren zum Herstellen eines ?/4-verschobenen Beugungsgitters unter Verwendung eines Zwei-Lichtstrom-Interferenz-Belichtungsverfahrens mit: Beaufschlagen eines Substrates mit einem Fotolack vom positiven Typ in einer Dicke, derart, daß die Oberfläche des Fotolackes von den Schwingungsknoten einer Lichtintensitätsverteilung in der Richtung der Dicke des Fotolackes in der Nachbarschaft des Schwingungsknotens am nähesten zu dem Substrat angeordnet ist, wobei die Lichtintensitätsverteilung durch Interferenz zwischen Licht innerhalb des Fotolackes, das von dem Substrat reflektiert wird, und Licht, das auf den Fotolack einfällt, als eine stehende Welle erzeugt wird; Belichten des Fotolackes vom positiven Typ mittels eines Zwei-Lichtstrom-Interferenz-Belichtungsverfahrens mit einem Interferenzmuster, das durch zwei interferierende Lichtstrahlenbündel erzeugt wird; Entwickeln des Fotolackes vom positiven Typ, um ein Muster des Fotolackes auszubilden, das eine Vielzahl von Fotolackfilmbereichen aufweist, wobei jeder Bereich einen überhängenden Teilbereich besitzt und wobei das Substrat zwischen den Bereichen freigelegt ist; Ablagern eines Isolierfilmes auf dem Fotolackmuster und auf dem freigelegten Substrat; selektives Ausbilden einer ersten Schutzschicht auf dem Fotolackmuster; Entfernen des Teilbereiches des Isolierfilmes, der nicht von der ersten Schutzschicht bedeckt wird; Ätzen eines Teilbereiches des Substrates unter Verwendung jenes Teilbereiches des Fotolackmusters als einer Maske, welcher Teilbereich des Fotolackmusters nicht von der ersten Schutzschicht bedeckt wird, um ein Beugungsgitter in einem ersten Teilbereich des Substrates auszubilden; Entfernen des Fotolackmusters zusammen mit der ersten Schutzschicht und dem Isolierfilm auf dem Fotolackmuster mittels Abheben, wobei der Isolierfilm auf dem Substrat zurückbleibt; selektives Ausbilden einer zweiten Schutzschicht auf dem geätzten ersten Teilbereich des Substrates; und Ätzen eines Teilbereiches des Substrates unter Verwendung des Isolierfilmes auf dem Substrat als einer Maske, wodurch ein Beugungsgitter in einem zweiten Teilbereich des Substrates ausgebildet wird, das eine Phase besitzt, die umgekehrt in Bezug auf das Beugungsgitter in dem ersten Teilbereich des Substrates ist, wobei der erste Teilbereich von der zweiten Schutzschicht bedeckt ist.

A method of producing a ?/4-shifted diffraction grating utilizing a two-luminous-flux interference exposure method, comprising: applying a positive type photoresist (7) to a substrate (1) in a thickness such that the surface of the photoresist is positioned in the vicinity of a node among the nodes of a light intensity distribution in the thickness direction of the photoresist, which light intensity distribution is produced as a standing wave by interference between light within the photoresist that is reflected by the substrate (1) and light incident on the photoresist (7), so that regions where the intensity of light is decreased are present in the vicinity of the surface of the photoresist and regions where the intensity of light is increased are present inside the photoresist; exposing said positive type photoresist (7) by a two-luminous-flux interference exposure method with an interference pattern produced by two interfering light beams; developing said positive type photoresist (7) to form a pattern (7a) of said photoresist comprising a plurality of photoresist films regions (7a) each region (7a) having an over-hanging portion, wherein the substrate (1) is exposed between the regions; depositing an insulating film (4) on the photoresist pattern (7a) and on the exposed substrate (1), so that portions of the insulating film (4) grown on the exposed substrate (1) are separated from portions of the insulating film (4) grown on the overhanging photoresist film portions (7a); selectively forming a first protective resist on the photoresist pattern (7a); removing the portion of said insulating film (4) which is not covered by the first protective resist; etching a portion of the substate (1) using that portion of the photoresist pattern (7a) as a mask, which portion of the photoresist pattern is not covered by the first protective resist to form a diffraction grating in a first portion of the substrate; removing the photoresist pattern together with the first protective resist and the insulating film on the photoresist pattern by lift-off, leaving the insulating film on the substrate; selectively forming a second protective resist on the etched first portion of the substrate; and etching a portion of the substrate using the insulating film on the substrate as a mask, thereby forming a diffraction grating in a second portion of the substrate having a phase that is reversed with respect to the diffraction grating in the first portion of the substrate, the first portion being covered by the second protective resist.

Ein Verfahren zum Herstellen eines ?/4-verschobenen Beugungsgitters unter Verwendung eines Zwei-Lichtstrom-Interferenz-Belichtungsverfahrens mit: Beaufschlagen eines Substrates mit einem Fotolack vom positiven Typ in einer Dicke, derart, daß die Oberfläche des Fotolackes von den Schwingungsknoten einer Lichtintensitätsverteilung in der Richtung der Dicke des Fotolackes in der Nachbarschaft des Schwingungsknotens am nähestens zu dem Substrat angeordnet ist, wobei die Lichtintensitätsverteilung durch Interferenz zwischen Licht innerhalb des Fotolackes, das von dem Substrat reflektiert wird, und Licht, das auf den Fotolack einfällt, als eine stehende Welle erzeugt wird; Belichten des Fotolackes vom positiven Typ mittels eines Zwei-Lichtstrom-Interferenz-Belichtungsverfahrens mit einem Interferenzmuster, das durch zwei interferierende Lichtstrahlenbündel erzeugt wird; Entwickeln des Fotolackes vom positiven Typ, um ein Muster des Fotolackes auszubilden, das eine Vielzahl von Fotolackfilmbereichen aufweist, wobei jeder Bereich einen überhängenden Teilbereich besitzt und wobei das Substrat zwischen den Bereichen freigelegt ist; Ablagern eines Isolierfilmes auf einem ersten Teilbereich des Fotolackmusters und auf dem freigelegten Substrat bei dem ersten Teilbereich des Fotolackmusters während der andere Teilbereich des Fotolackmusters maskiert ist; Ausbilden einer ersten Schutzschicht auf dem Fotolackmuster und dem Substrat, auf denen der Isolierfilm vorhanden ist; Ätzen des anderen Teilbereiches des Substrates unter Verwendung jenes Teilbereiches des Fotolackmusters als einer Maske, welcher Teilbereich des Fotolackmusters nicht von der ersten Schutzschicht bedeckt wird, um ein Beugungsgitter in dem anderen Teilbereich des Substrates auszubilden; Entfernen des Fotolackmusters zusammen mit der ersten Schutzschicht und dem Isolierfilm auf dem Fotolackmuster mittels Abheben, wobei der Isolierfilm auf dem Substrat zurückbleibt; selektives Ausbilden einer zweiten Schutzschicht auf dem geätzten anderen Teilbereich des Substrates; und Ätzen des ersten Teilbereiches des Substrates unter Verwendung des auf dem Substrat verbliebenen Isolierfilmes als einer Maske, wodurch ein Beugungsgitter in dem ersten Teilbereich des Substrates ausgebildet wird, das eine Phase besitzt, die umgekehrt in Bezug auf das Beugungsgitter in dem anderen Teilbereich des Substrates ist, wobei der andere Teilbereich von der zweiten Schutzschicht bedeckt ist.

A method of producing a ?/4-shifted diffraction grating utilizing a two-luminous-flux interference exposure method, comprising: applying a positive type photoresist (7) to a substrate (1) in a thickness such that the surface of the photoresist is positioned in the vicinity of a node among the nodes of a light intensity distribution in the thickness direction of the photoresist, which light intensity distribution is produced as a standing wave by interference between light within the photoresist that is reflected by the substrate (1) and light incident on the photoresist (7), so that regions where the intensity of light is decreased are present in the vicinity of the surface of the photoresist and regions where the intensity of light is increased are present inside the photoresist; exposing said positive type photoresist (7) by a two-luminous-flux interference exposure method with an interference pattern produced by two interfering light beams; developing said positive type photoresist (7) to form a pattern (7a) of said photoresist comprising a plurality of photoresist films regions (7a) each region (7a) having an over-hanging portion, wherein the substrate (1) is exposed between the regions; depositing an insulating film (4) on a first portion of the photoresist pattern (7a) and on the exposed substrate (1) at the first portion of the photoresist pattern, so that portions of the insulating film (4) grown on the exposed substrate (1) are separated from portions of the insulating film (4) grown on the overhanging photoresist film portions (7a), while the other portion of the photoresist pattern (7a) is masked; forming a first protective resist on the photoresist pattern (7a) and the substrate (1) on which the insulating film (4) is present; etching the other portion of the substrate (1) using that portion of the photoresist pattern (7a) as a mask, which portion of the photoresist pattern is not covered by the first protective resist to form a diffraction grating in the other portion of the substrate; removing the photoresist pattern together with the first protective resist and the insulating film on the photoresist pattern by lift-off, leaving the insulating film on the substrate; selectively forming a second protective resist on the etched other portion of the substrate; and etching the first portion of the substrate using the insulating film remaining on the substrate as a mask, thereby forming a diffraction grating in the first portion of the substrate having a phase that is reversed with respect to the diffraction grating in the other portion of the substrate, the other portion being covered by the second protective resist.

stehende Welle

stationary wave