ultraviolettes Licht

UV ultraviolettes Licht

UV ultra violet light

ultraviolettes Licht

ultraviolet light

sichtbares und ultraviolettes Licht

visible and ultraviolet light

ultraviolettes licht

ultraviolet light

LAMPE FÜR ULTRAVIOLETTES LICHT.

LAMP FOR TRANSMITTING ULTRAVIOLET LIGHT.

Photolumineszierende Polydisilacyclobutane nach einem der vorstehenden Ansprüche, die eine Photolumineszenz im blauen Bereich des sichtbaren Spektrums zeigen, wenn sie durch ultraviolettes Licht angeregt werden.

Photoluminescent polydisilacyclobutanes according to any of the preceding claims exhibiting photoluminescence in the blue region of the visible spectrum when excited by ultraviolet light.

Verfahren noch einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die einfallende Strahlung ultraviolettes Licht ist, wodurch Epifluoreszenzmikroskopie ermöglicht wird.

The method of any preceding claim, wherein said incident radiation is ultraviolet light, thereby enabling epifluorescence microscopy.

Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen umfassend die Schritte: Herstellen einer ersten Aluminiumschicht (11) an einer Oberfläche eines Substrates (12, 13) mit einer oberen Oberfläche mit Oberflächenirregularitäten, wobei die erste Schicht für ultraviolettes Licht reflektierend ist, Beschichten der ersten Aluminiumschicht mit einer polimeren Antireflexbeschichtung (16) mit einer Dicke, die höher ist als die Höhe der Oberflächenirregularitäten, wobei die Antireflexbeschichtung für das ultraviolette Licht absorbierend ist, Beschichten der polimeren Antireflexbeschichtung mit einer Photoresistbeschichtung (21), Belichten der Photoresistbeschichtung (21) mit dem ultravioletten aktinischen Licht, welches durch die Antireflexbeschichtung nicht wirkungsvoll reflektiert wird, Entwickeln des Photoresists, um darin Öffnungen (27) zu definieren, und Verwenden der Öffnungen, um die Abschnitte der Antireflexbeschichtung und der ersten Schicht, welche durch die Öffnung freigelegt sind selektiv zu ätzen, während unbelichtete Abschnitte von diesen intakt erhalten werden, wobei die Polymer-Antireflexbeschichtung (16) anfänglich einen Vorläufer eines Polymers umfaßt, der polymerisiert wird, um eine gehärtete Antireflexbeschichtung mit einer im wesentlichen ebenen oberen Oberfläche zu bilden, und wobei der Polymervorläufer aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Polysulfon und Polyaldehyd besteht, welches an dem Substrat beschichtet wird durch dessen Abscheidung in einer fluiden Form an dem Substrat, Rotieren des Substrats zum Verteilen des Vorläufers und dann Polymerisieren des Vorläufers, dadurch gekennzeichnet, daß das ultraviolette Licht tiefes ultraviolettes Licht ist, das heißt Licht mit Wellenlängen von weniger als ungefähr 300 nm ist, und die erste Schicht und die Antireflexbeschichtung gleichzeitig an Bereichen plasmageätzt werden, welche durch die Öffnungen der Photoresistschicht freigelegt sind, um im wesentlichen solche Bereiche der ersten Schicht und der Antireflexbeschichtung zu entfernen, die durch die Öffnungen freigelegt sind, wobei der Plasmaätzschritt ein reaktives Gas, das CCL umfasst, verwendet, wobei das Plasma durch Ionisieren des CCL , welches beides ätzen kann, sowohl die erste Schicht und die Antireflexschicht, gebildet wird.

A method for making semiconductor devices comprising the steps of: making a first aluminum layer (11) on a surface of a substrate (12,13) having an upper surface containing surface irregularities, said first layer being reflective of ultraviolet light; coating the first aluminum layer with a polymer antireflection coating (16) having a thickness greater than the heights of the surface irregularities, said antireflection coating being absorptive of said ultraviolet light; coating the polymer antireflection coating with a photoresist coating (21); exposing said photoresist coating (21) to said ultraviolet actinic light which is not efficiently reflected by the antireflection coating; developing the photoresist to define therein openings (27); and using said openings to selectively etch the portions of the antireflection coating and the first layer exposed by the opening, while leaving unexposed portions thereof intact; wherein said polymer antireflection coating (16) initially comprises a precursor of a polymer which is polymerized to torm a hardened antireflection coating having a substantially planar upper surface; and said polymer precursor is selected from the group consisting of polysulfone and polyaldehyde that is coated on the substrate by depositing it in a fluid form on the substrate, spinning the substrate to distribute the precursor, and then polymerizing the precursor; CHARACTERISED IN THAT said ultraviolet light is deep ultraviolet light, that is, light having wavelengths of less than about three hundred nanometers; and said first layer and said antireflection coating are simultaneously plasma etched at regions exposed by the openings of the photoresist layer to substantially remove such regions of the first layer and antireflection coating exposed by the openings; said plasma etching step employing a reactive gas consisting of CCl , the plasma formed by ionizing said CCl being effective to etch both said first layer and said antireflective layer.