complementary MOS

The countervailing duty imposed on imports of certain electronic integrated circuits known as Dynamic Random Access Memories (DRAMs) manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all types, densities, variations, access speed, configuration, package or frame etc.

1480/2003 eingeführte Ausgleichszoll auf die Einfuhren bestimmter elektronischer Mikroschaltungen, so genannter DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Typen, Speicherdichten, Varianten, Zugriffsgeschwindigkeiten, Konfigurationen, Gehäuse oder Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea wird mit Wirkung vom 31.

certain electronic microcircuits known as dynamic random access memories (DRAMs), of all types, densities and variations, whether assembled, in processed wafer or chips (dies), manufactured using variations of metal oxide-semiconductors (MOS) process technology, including complementary MOS types (CMOS), of all densities (including future densities), irrespective of access speed, configuration, package or frame etc., originating in the Republic of Korea.

bestimmte elektronische Mikroschaltungen, so genannte DRAMs (dynamische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff), aller Typen, Speicherdichten und Varianten, auch montiert, in Form von bearbeiteten Scheiben (wafers) oder Chips, die nach Varianten der Metalloxydhalbleiter(MOS)-Technik einschließlich der CMOS-Technik hergestellt werden, aller Speicherdichten (auch künftiger), unabhängig von der Zugriffsgeschwindigkeit, der Konfiguration, dem Gehäuse, dem Rahmen usw., mit Ursprung in der Republik Korea.

These hex buffers are monolithic complementary MOS (CMOS) integrated circuits constructed with N- and P-channel enhancement mode transistors. These devices feature logic level conversion using only one supply voltage (VDD). The input signal high level (VIH) can exceed the VDD supply voltage when these devices are used for logic level conversions. These devices are intended for use as hex buffers, CMOS to DTL/TTL converters, or as CMOS current drivers, and at VDD e 5.0V, they can drive directly two DTL/TTL loads over the full operating temperature range.

Diese hex Puffer sind monolithische komplementäre MOS
 (CMOS) integrierte Schaltkreise gebaut mit N und P-Kanal
 Verbesserung Modus Transistoren. Diese Geräte haben
 Logik Ebene Konvertierung mit nur einer Betriebsspannung (VDD).
 Die hohe Eingangssignal (VIH) kann die VDD-Versorgung übersteigen.
 Spannung, wenn diese Geräte für Logik-Level-Konvertierungen verwendet werden.
 Diese Geräte sind für die Verwendung als hex Puffer vorgesehen,
 CMOS DTL/TTL-Konverter oder als CMOS aktuelle Treiber,
 und bei der VDD e 5.0V, können sie direkt zwei DTL/TTL fahren
 Lasten über die vollen Betriebstemperaturbereich.