high voltage technology

In consumer electronics, an increasing demand has arisen for very high power monolithic audio amplifiers able to match, with a low cost, the performance obtained from the best discrete designs. The task of realizing this linear integrated circuit in conventional bipolar technology is made extremely difficult by the occurence of 2nd breakdown phoenomenon. It limits the safe operating area (SOA) of the power devices, and, as a consequence, the maximum attainable output power, especially in presence of highly reactive loads. Moreover, full exploitation of the SOA translates into a substantial increase in circuit and layout complexity due to the need of sophisticated protection circuits. To overcome these substantial drawbacks, the use of power MOS devices, which are immune from secondary breakdown is highly desirable. The device described has therefore been developed in a mixed bipolar-MOS high voltage technology called BCDII 100/120.

In der Unterhaltungselektronik, hat eine zunehmende Nachfrage nach sehr hoher Leistung monolithischen Audioverstärker Lage übereinstimmen, mit einem geringen Kosten, die Leistung aus den besten erhaltenen diskreten Designs entstanden. Die Aufgabe der Realisierung dieses linearen integrierten Schaltung in Bipolar-Technologie üblichen extrem erschwert wird durch das Auftreten der zweiten Aufteilung phoenomenon. Sie begrenzt den sicheren Betriebszustand (SOA) der Stromversorgung, und, als Folge, der maximal erreichbaren Leistung, insbesondere in Gegenwart von stark Blindlasten. Außerdem übersetzt vollständige Nutzung des SOA zu einem erheblichen Anstieg der Schaltung und Layoutkomplexität aufgrund der Notwendigkeit von anspruchsvollen Schutzschaltungen. Um diese erheblichen Nachteile zu überwinden, ist die Verwendung von Leistungs-MOS-Vorrichtungen, die immun gegen zweiten Durchbruch sind höchst wünschenswert. Die beschriebene Vorrichtung hat daher in einem gemischten bipolaren MOS-Hochspannungstechnik genannt BCDII 100/120 entwickelt worden.