junction transistor

Bipolar junction transistor

Bipolartransistor

The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, or MOS FET) is a transistor used for amplifying or switching electronic signals. Although the MOSFET is a four-terminal device with source (S), gate (G), drain (D), and body (B) terminals,[1] the body (or substrate) of the MOSFET often is connected to the source terminal, making it a three-terminal device like other field-effect transistors. Because these two terminals are normally connected to each other (short-circuited) internally, only three terminals appear in electrical diagrams. The MOSFET is by far the most common transistor in both digital and analog circuits, though the bipolar junction transistor was at one time much more common.

Das Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET, MOS-FET oder MOS-FET) ein Transistor zum Verstärken oder Schalten elektronische Signale verwendet. Obwohl der MOSFET ein Vier-Endgerät mit Source (S), Gate-(G), Drain (D) und (B) Klemmen, [1] der Körper (oder Substrat) des MOSFET wird oft mit der Quelle verbunden Terminal, so dass es eine Vorrichtung mit drei Anschlüssen, wie andere Feldeffekttransistoren. Weil diese beiden Anschlüsse normalerweise miteinander verbunden sind (kurzgeschlossen), die intern, erscheinen nur drei Anschlüssen in elektrischen Diagrammen. Der MOSFET ist bei weitem die häufigste Transistor in sowohl digitale als auch analoge Schaltungen, obwohl der Bipolarübergangstransistor war auf einmal viel häufiger.