most separated

A semiconductor memory device comprising: a sense amplifier block in which block a plurality of sense amplifiers (SAM?-SAM n ) are arranged in a row and a current source (2) disposed in the vicinity of one end of said sense amplifier block, said memory device further comprises: a first wiring (SAN1) connected commonly to said sense amplifiers (SAM?-SAM n ), one end of said first wiring being connected to said current source (2), characterized by a second wiring (SAN2) connecting said current source (2) with the other end of said first wiring at one of said sense amplifiers (SAM n ) which is most separated from said current source (2).

Halbleiter-Speichervorrichtung, die folgendes aufweist: einen Abtastverstärkerblock, in dem eine Anzahl von Abtastverstärkern (SAM?-SAM n ) in einer Reihe angeordnet sind, und eine Stromquelle (2), die in der Nähe von einem Ende des Abtastverstärkerblocks angeordnet ist, wobei die Speichervorrichtung weiter folgendes aufweist: eine erste Verdrahtung bzw. Leiterbahnbelegung (SAN1), die gemeinhin an die Leseverstärker (SAM?-SAM n ) angeschlossen ist, wobei ein Ende der ersten Verdrahtung bzw. Leiterbahnbelegung mit der Stromquelle (2) verbunden bzw. an diese angeschlossen ist, gekennzeichnet durch eine zweite Verdrahtung bzw. Leiterbahnbelegung (SAN2), die die Stromquelle (2) mit dem anderen Ende der ersten Verdrahtung bei einem der Abtastverstärker (SAM n ) verbindet, der am weitesten von der Stromquelle (2) beabstandet ist.