scanning laser beam

A class of failure analysis techniques has evolved over the last several years, which utilizes a scanning laser beam* to activate electrical characteristics of the test device. OBIC (Optical Beam Induced Current) [1] was the first of the class. It was later followed by LIVA [2], TIVA, and SEI (Seebeck Effect Imaging) [3-4]. The utilization of these laser probe techniques for failure analysis is primarily in fault isolation. TIVA, for example locates ohmic shorts due to the large resistance change with thermal heating that occurs at most shorts. SEI locates opens due to the electrical imbalance of the thermal electric effects at the open site. A significant feature of these techniques is their ability to work from both the topside and backside. Backside analysis is critical for "flip-chip" packages and devices with multiple metal layers, which obscure visibility from the topside.

Eine Klasse von Fehler-Analyse-Techniken hat sich entwickelt.
 in den letzten Jahren, die nutzt einen Scannen
 Laser-Strahl ** zu elektrische Eigenschaften des aktivieren die
 Testgerät. OBIC (optischen Strahl induzierte Strom)
 [1] war der erste der Klasse. Es folgte später
 LIVA [2], TIVA und SEI (Seebeck-Effekt Imaging)
 [3-4]. Die Auslastung dieser Laser-Sonde-Techniken
 wegen Nichterfüllung ist Analyse hauptsächlich in Fehlerisolierung.
 TIVA, sucht z. B. ohmscher kurz aufgrund der
 großen Widerstand zu ändern, mit Heizung, die thermischen
 tritt bei den meisten kurze Hose. SEI sucht öffnet aufgrund der
 elektrische Ungleichgewicht der thermische elektrische Effekte bei
 die Website öffnen. Ein wesentliches Merkmal dieser
 Techniken ist ihre Fähigkeit, aus beiden arbeiten die
 Oberseite und Rückseite. Rückseite Analyse ist entscheidend für
 "Flip-Chip" Pakete und Geräte mit mehreren Metall
 Schichten, die Sicht von der Oberschale zu verdecken.

This laser beam collimator C contains, in a housing 26, a beam splitter 27 for the writing laser beam 21 and a mirrow 28 for the scanning laser beam 23'.

Die Bestandteile der Tastlaserstrahlquelle B sind in einem Gehäuse 22 gelagert, das gleich wie das Gehäuse 19 der Schreiblaserstrahlquelle A mit einstellbaren Befestigungslementen 20 in die richtige Position gebracht werden kann.