sheet resistance

Model of device resistance as a function of device size for growths A and C, using empirically determined l and D. Smaller devices with 1 GB from growth C are very resistive, while growth A devices with the statistically expected number of GBs show uniform high performance over a large range of sizes. (B) (Left) Grayscale SEM image (scale bar, 10 mm) of ≈5 by 5 mmgrowth A–type graphene device fabricated on SiO2/Si and representative color DF-TEM image (scale bar, 1 mm) of domain structure. Transport characteristics demonstrate performance on par with exfoliated graphene. (Right) Histograms for field-effect mobility and p-type sheet resistance of 28 similarly fabricated devices show excellent electrical behavior overall.

Modell des Geräts Widerstand als Funktion der Mediengröße für Wucherungen A und C, mit empirisch
 zielstrebig l und D. kleinere Geräte mit 1 GB von Wachstum C sind sehr ohmsch, während Wachstum A Geräte mit
 die statistisch erwartete Anzahl von GBs zeigen einheitlichen hohen Leistung über einen großen Bereich von Größen. (B) (links)
 Graustufen-SEM Bild (Maßstabsbalken, 10 mm) von ≈5 5 Mmgrowth A–type Graphen Gerät fabriziert auf SiO2/Si
 und repräsentativen DF-TEM Farbe (Maßstabsbalken, 1 mm) Domänenstruktur. Transport-Merkmale
 zeigen Sie die Leistung auf einer Stufe mit geblähter Graphen. (Rechts) Histogramme für Feldeffekt Mobilität und
 p-Typ Flächenwiderstand 28 ähnlich konstruierten Geräte zeigen hervorragendes elektrisches Verhalten insgesamt.