Anreicherungstyp

Elektronische Schaltung mit einem Feldeffekttransistormittel (12) vom Anreicherungstyp mit isoliertem Gate, die ein Gate (14), eine Source (16) und eine Drain (18) enthält, und eine induktive Lasteinrichtung (20) aufweist, die in einer Schaltung mit der Drain des Feldeffekttransistormittels (12) angeschlossen ist, wobei die Schaltung eine Anstiegsgeschwindigkeitssteuerschaltung (28, 32, 34) für die Lastspannung enthält, die an das Gate (14) und die Drain (18) des Feldeffekttransistormittels angeschlossen ist, die mit dem Feldeffekttransistormittel zusammenwirkt, um einen Stromintegrator zu bilden, der einen Eingangsstrom empfängt und einen Spannungsausgang an der Drain zur Verfügung stellt, der durch das Zeitintegral des Eingangsstroms definiert ist, wobei das Anstiegsgeschwindigkeitssteuermittel Kondensatormittel (28) hat, dessen eines Ende in einer Schaltung zwischen der Last (20) und der Drain des Feldeffekttransistormittels angeschlossen ist, wobei das andere Ende des Kondensatormittels angeschlossen ist 1. an eine Stromquellenschaltung (32) und 2. an den Eingang eines Einheitsverstärker-Trennverstärkermittels bzw.-Pufferverstärkermittels (34), dessen Ausgang an das Gate des Feldeffekttransistormittels (12) angeschlossen ist, wodurch eine lokale Rückkopplung an dem Gate (14) des Feldeffekttransistormittels aufgrund der Gate-Drain-Kapazitanz effektiv bzw. wirksam zerstört wird.

An electronic circuit comprising an insulated gate enhancement mode field effect transistor means (12), including a gate (14), a source (16) and a drain (18), and an inductive load means (20) connected in circuit with the drain of the field effect transistor means (12), wherein said circuit includes load voltage slew rate control means (28,32,34) connected to said gate (14) and said drain (18) of said field effect transistor means, cooperating with said field effect transistor means to form a current integrator receiving an input current and providing a voltage output at said drain defined by the time integral of said input current, the slew rate control means having capacitor means (28) with one end connected in circuit between said load (20) and said drain of said field effect transistor means, the other end of said capacitor means being connected 1. to a current source circuit (32) and 2. to the input of a unity gain buffer amplifier means (34) the output of which is connected to said gate of said field effect transistor means (12) whereby local feedback at said gate (14) of said field effect transistor means due to gate-drain capacitance is effectively annihilated.

Verfahren zum Steuern einer Spannungsanstiegsgeschwindigkeit einer Last an einer induktiven Last unter Verwendung eines Feldeffekttransistors (12) vom Anreicherungstyp, das aufweist: einen Kondensator (28) mit einem ersten Anschluß in einer Schaltung zwischen der Last und der Drain (18) des Feldeffekttransistors, und ein zweiter Anschluß, der an eine Stromquelle angeschlossen ist, wird bereitgestellt; ein Einheitsverstärkungs-Trennverstärker bzw. -Pufferverstärker (34) wird in einer Schaltung zwischen dem zweiten Anschluß und dem Gate (14) des Feldeffekttransistors bereitgestellt, um einen Stromintegrator zum Integrieren des Stroms von der Stromquelle auszubilden; und das Gate (14) wird durch den Pufferverstärker bzw. Trennverstärker (34) so betrieben bzw. angetrieben, daß Spannungsänderungen an der Drain über den Kondensator (28) und dem Puffer- bzw. Trennverstärker (34) zu dem Gate gekoppelt werden, um die Wirkung der Gate-Drain-Kapazitanz (40) zu zerstören.

A method of controlling load voltage slew-rate at an inductive load using an enhancement mode field effect transistor (12) comprising: providing a capacitor (28) having a first terminal in circuit between said load and the drain (18) of said field effect transistor, and a second terminal connected to a current source; providing a unity gain buffer amplifier (34) in circuit between said second terminal and the gate (14) of the field effect transistor, to form a current integrator for integrating the current from the current source; and driving said gate (14) by said buffer amplifier (34) such that voltage variations at said drain are coupled via the capacitor (28) and buffer amplifier (34) to said gate to annihilate the effect of gate-drain capacitance (40).