enhancement mode

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

Allgemeine Beschreibung Diese N-Kanal Enhancement Mode Power Feldeffekt-Transistoren werden unter Verwendung der proprietären Fairchild, ebenen Streifen, DMOS-Technologie. Diese fortschrittliche Technologie wurde speziell zugeschnitten auf On-Widerstand zu minimieren, bieten ein überragendes Schaltverhalten aushalten und hohen Energie-Impuls in der Lawine und Kommutierung Modus. Diese Geräte sind gut geeignet für hohe Effizienz Schaltnetzteilen, aktive Power Factor Correction, EVGs auf halber Brücke Topologie.

N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology.

N-Kanal-Anreicherungsfeldeffekttransistors in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS ™ 1-Technologie.

complementary 100Volts Enhancement Mode Mosfet H-Bridge

Komplementär 100Volts Erweiterungsmodus Mosfet H-Brücke

An n-channel enhancement-mode MOSFET is illustrated in the equivalent circuit diagram of the bidirectional switch .

Im Ersatzschaltbild des bidirektionalen Schalters 24 ist ein n-Kanal Enhancement-MOSFET dargestellt.

An integrated circuit according to claim 6, wherein each of said plurality of MOSFETs comprises an enhancement-mode MOSFET.

Integrierte Schaltung nach Anspruch 6, bei welcher jeder der Mehrzahl der MOSFETs einen Anreicherungs-MOSFET aufweist.

These hex buffers are monolithic complementary MOS (CMOS) integrated circuits constructed with N- and P-channel enhancement mode transistors. These devices feature logic level conversion using only one supply voltage (VDD). The input signal high level (VIH) can exceed the VDD supply voltage when these devices are used for logic level conversions. These devices are intended for use as hex buffers, CMOS to DTL/TTL converters, or as CMOS current drivers, and at VDD e 5.0V, they can drive directly two DTL/TTL loads over the full operating temperature range.

Diese hex Puffer sind monolithische komplementäre MOS
 (CMOS) integrierte Schaltkreise gebaut mit N und P-Kanal
 Verbesserung Modus Transistoren. Diese Geräte haben
 Logik Ebene Konvertierung mit nur einer Betriebsspannung (VDD).
 Die hohe Eingangssignal (VIH) kann die VDD-Versorgung übersteigen.
 Spannung, wenn diese Geräte für Logik-Level-Konvertierungen verwendet werden.
 Diese Geräte sind für die Verwendung als hex Puffer vorgesehen,
 CMOS DTL/TTL-Konverter oder als CMOS aktuelle Treiber,
 und bei der VDD e 5.0V, können sie direkt zwei DTL/TTL fahren
 Lasten über die vollen Betriebstemperaturbereich.

ENHANCEMENT MODE VERTICAL

ENHANCEMENT MODE VERTIKAL