Blindwiderstand

Sie weist einen inneren ovalen Rand 51a und einen konzentrischen äußeren ovalen Rand 51 b auf, Die ringförmige Leiterbahn 51 liegt in der Ebene der Antennenzweige 21, 22 und bildet eine Parallelinduktivität zwischen den beiden Antennenzweigen 21, 22. Vorzugsweise ist die ringförmige Leiterbahn 51 derart ausgestaltet und die Zweiglänge Lz derart gewählt, dass die Antenne 20 eine Eingangsimpedanz Z2 mit einem im gesamten Betriebsfrequenzbereich fB induktiven Blindwiderstand X2>0 aufweist, dessen Frequenzgang X2(f) einen Wendepunkt im Betriebsfrequenzbereich fB aufweist.

It has an inner oval edge and a concentric outer oval edge . The ring-shaped trace lies in the plane of antenna arms , and forms a parallel inductor between the two antenna arms , . The ring-shaped trace is preferably formed and the arm length Lz selected in such a way that antenna has an input impedance Z with a reactance X >0, which is inductive over the entire operating frequency range fB and whose frequency response X ( ) has an inflection point in the operating frequency range fB.

Erfindungsgemäß ist der Blindwiderstand eine nichtlineare Reaktanz.

In accordance with the present invention, the reactive impedance is a non-linear reactance.

Ein variabler Widerstand in einem Mikrowellenschaltkreis, der Widerstand verfügt über einen Mikrowellen-Feldeffekttransistor (F2), angeschlossen mit Null Gleichstrommagnetisierung zwischen seiner Source und seinem Drain, und mit einem Kanalwiderstand, der sich bei Änderungen der Gate-Spannung (VG2) verändert, mit dem Merkmal, daß der veränderliche Widerstand über den ersten und zweiten des besagten Transistors (F1, F2) verfügt, dessen Drains über einen Vorschaltwiderstand (R) gekoppelt sind, daß ein Eingangsanschluß (11) des veränderlichen Widerstand über einen Anschluß zum Vorschaltwiderstand (R) und zum Drain des ersten Widerstands (F2) verfügt, und, daß eine Nebenschlußleitung (L1, L2) zum Drain jedes Transistors (F1, F2) angeschlossen ist, um bei der Betriebsfrequenz des Transistors (F1, F2) zumindest teilweise den kapazitiven Blindwiderstand von der Source zum Drain und Verschiebungen der Leitebene aufgrund von Änderungen der Gate-Spannung (VG1, VG2) jedes Transistors (F1, F2) auszugleichen.

A variable resistor in a microwave circuit, the resistor comprising a microwave field-effect transistor (F2) connected with zero dc bias between its source and drain and having a channel resistance which changes with change in gate voltage (VG2), characterised in that the variable resistor comprises first and second of said transistors (F1,F2) the drains of which are coupled together via an intermediate resistor (R), in that an input port (11) of the variable resistor comprises a connection to the intermediate resistor (R) and to the drain of the first transistor (F2), and in that a shunt stub (L1,L2) is connected to the drain of each transistor (F1,F2) to at least partially compensate at the frequency of operation of the transistor (F1,F2) for the source to drain capacitance and for shifts in reference plane due to changes in the gate voltage (VG1,VG2) of each transistor (F1,F2).