Ordinaten
Wörterbuch
-
Ordinatenpl
Beispiele im Kontext
-
Akustische Oberflächenwellenvorrichtung für eine akustische Oberflächenwelle vom 2. Mode einer Wellenlänge ? (µm), aufweisend: (i) eine Diamant-Schicht, (ii) eine ZnO-Schicht, angeordnet auf der Diamant-Schicht, wobei die ZnO-Schicht eine Dicke t besitzt, (iii) einen interdigitalen Wandler (IDT) (20), angeordnet auf der ZnO-Schicht, wobei der IDT eine Dicke von t besitzt, und (iv) eine SiO -Schicht, angeordnet über dem interdigitalen Wandler auf der ZnO-Schicht, wobei die SiO -Schicht eine Dicke von t besitzt; wobei ein Parameter kh3 = 2? (t A /?) ist: kh3 = 0,099, und wobei ein Parameter kh1 = 2? (t z /?) und ein Parameter kh2 = 2? (t s /?) innerhalb eines Bereichs gegeben sind, definiert durch eine obere Linie, erhalten durch Erhöhen von kh2 von einer primären Kombinationslinie (A3-B3-C3-D3-E3-F3-G3) um 10%, und eine untere Linie, erhalten durch Verringern von kh2 von der primären Kombinationslinie (A3-B3-C3-D3-E3-F3-G3) um 10%, in einer zweidimensionalen Grafik in kartesischen Koordinaten, die eine Abszissen-Achse kh1 und eine Ordinaten-Achse kh2 besitzt, wobei die primäre Kombinationslinie (A3-B3-C3-D3-E3-F3-G3) aus Punkten A3, B3, C3, D3, E3, F3, G3 und Linien A3-B3, B3-C3, C3-D3, D3-E3, E3-F3, F3-G3 besteht; wobei A3 gegeben ist durch (kh1=0,600, kh2=0,713); wobei B3 gegeben ist durch (kh1=0,800, kh2=0,758); wobei C3 gegeben ist durch (kh1=0,900, kh2=0,790); wobei D3 gegeben ist durch (kh1=1,000, kh2=0,832); wobei E3 gegeben ist durch (kh1=1,100, kh2=0,879); wobei F3 gegeben ist durch (kh1=1,200, kh2=0,930); und wobei G3 gegeben ist durch (kh1=1,400, kh2=1,046).
A surface acoustic wave device for 2nd mode surface acoustic wave of a wavelength ? (µm) comprising: (i) a diamond layer, (ii) a ZnO layer disposed on said diamond layer, said ZnO layer having a thickness t , (iii) an interdigital transducer (IDT) (20) disposed on said ZnO layer, said IDT having a thickness of t and (iv) a SiO layer disposed over said interdigital transducer onto said ZnO layer, said SiO layer having a thickness of t ; wherein a parameter kh3 = 2?(t A /?) is kh3 = 0.099; and wherein a parameter kh1 =2?(t z /?)and a parameter kh2 = 2?(t s /?) are given within a region defined by an upper line obtained by increasing kh2 from a primary combination line (A3-B3-C3-D3-E3-F3-G3) by 10 % and a lower line obtained by decreasing kh2 from said primary combination line (A3-B3-C3-D3-E3-F3-G3) by 10%, in a two-dimensional Cartesin coordinate graph having abscissa axis of kh1 and ordinate axis of kh2, said primary combination line (A3-B3-C3-D3-E3-F3-G3) consisting of points A3, B3, C3, D3, E3, F3, G3 and lines A3-B3, B3-C3, C3-D3, D3-E3, E3-F3, F3-G3; said A3 being given by (kh1=0.600, kh2=0.713); said B3 being given by (kh1=0.800, kh2=0.758); said C3 being given by (kh1=0.900, kh2=0.790); said D3 being given by (kh1=1.000, kh2=0.832); said E3 being given by (kh1=1.100, kh2=0.879); said F3 being given by (kh1=1.200, kh2=0.930); and said G3 being given by (kh1=1.400, kh2=1.046).