ionisieren

ionisieren

ionize

Einschaltventil Batteriemodul Ionisieren

Switch-on valve battery module ionizing

Sie kann die Gase nicht ionisieren.

You can not ionize the gas.

Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch die Schritte Bespülen einer Seite der Sensorelektrode (14a) mit einem Sauerstoff enthaltenden Gasstrom, elektrochemisches Messen der Sauerstoffmenge in dem Gasstrom und Ionisieren des Bereichs auf der anderen Seite der Sensorelektrode (14a) und neben der Sperrelektrode (18a) zur Bildung eines Films aus Wasserstoff auf der Sperrelektrode (18a) unter gleichzeitiger Erzeugung von Sauerstoff an der zweiten Hilfselektrode (18b), wobei der Wasserstoff unter Bildung von Wasser mit im Elektrolyten gelösten Sauerstoff reagiert.

The method of claim 1 or 2, characterised by the steps of flowing a gaseous stream comprising oxygen in contacting engagement with one side of said sensor electrode (14a), measuring the amount of oxygen in said gaseous stream electrochemically and ionizing the region on the other side of said sensor electrode (14a) and adjacent to said barrier electrode (18a) so as to form a film of hydrogen on said barrier electrode (18a) while generating oxygen at the second auxiliary electrode (18b), said hydrogen reacting with oxgen dissolved in said electrolyte to form water.

Massenspektrometer zur Analyse einer Probe, umfassend Mittel (1) zur Erzeugung eines Plasmas (3) in einem Inertgas im wesentlichen bei atmosphärischem Druck, wobei die Plasmaerzeugungsmittel Mittel (13) zur Erzeugung eines von einem Hochfrequenz- oder Mikrowellengenerator gespeisten elektrischen Felds sowie einen Plasmabrenner (9) zur Einleitung des Inertgases in das Feld umfassen, Mittel zur Einbringung der Probe in das Plasma, um dabei zumindest einen Teil der Probe zu ionisieren, einen Probennahmekonus (19), welcher dem Plasma (3) benachbart angeordnet ist und in seiner Spitze eine Öffnung aufweist, einen Massenanalysator (5, 6), welcher zum Empfang zumindest einiger der in dem Plasma (3) erzeugten Ionen angeordnet ist, welche durch die Öffnung hindurchtreten, und Mittel (25), um den Druck auf der dem Plasma (3) fernen Seite des Probennahmekonus (19) im wesentlichen unter dem atmosphärischen Druck zu halten, dadurch gekennzeichnet, daß der Massenanalysator zumindest einen magnetischen Sektor-Analysator (5) mit einem Eintrittsschlitz (43) umfaßt, und umfassend Mittel (8), um das Potential des Eintrittsschlitzes (43) im wesentlichen auf Massepotential zu halten, sowie Mittel (40), um das Potential des Probennahmekonus (19) auf einem Potential gegenüber Massepotential zu halten, das annähernd gleich dem vom Massenanalysator (5, 6) benötigten Beschleunigungspotential ist, um dadurch das Potential, bei dem Ionen in dem Plasma (3) gebildet werden, auf eine derartige Größe anzuheben, daß die Energie der Ionen nach ihrem Durchtritt durch den Eintrittsschlitz (43) ihre Massenanalyse durch den magnetischen Sektor-Analysator (5) gestattet.

A mass spectrometer for the analysis of a sample, comprising means (1) for establishing a plasma (3) in an inert gas substantially at atmospheric pressure, said plasma establishing means comprising means (13) for creating an electrical field energized by a radio-frequency or microwave generator and a plasma torch (9) for supplying said inert gas into said field; means for introducing said sample into said plasma to thereby ionize at least a portion of said sample; a sampling cone (19) disposed adjacent to said plasma (3) and having an aperture in its apex; a mass analyzer (5,6) disposed to receive a least some of the ions generated in said plasma (3) which pass through said aperture; and means (25) for maintaining the pressure on the side of said sampling cone (19) remote from said plasma (3) substantially below atmospheric pressure, characterized in that said mass analyzer comprises at least a magnetic sector analyzer (5) having an entrance slit (43), and including means (8) for maintaining the potential of said entrance slit (43) substantially at ground potential, and means (40) for maintaining the potential of said sampling cone (19) at a potential with respect to ground potential which is approximately equal to the accelerating potential required by the mass analyzer (5,6) to thereby raise the potential at which ions are formed in the plasma (3) to such a magnitude that the energy of the ions after they have passed through said entrance slit (43) permits their mass analysis by said magnetic sector analyzer (5).

Verfahren zum Verarbeiten eines optischen Strahls (54) mit den Schritten: Liefern des optischen Strahls (54); danach Einführen einer bekannten Wellenfront-Verzerrung in zumindest eine Wellenlängenkomponente des optischen Strahls (54), um einen verzerrten optischen Strahl (54) zu bilden; danach Bilden einer Zwischenabbildung des verzerrten optischen Strahls (54); und danach Einführen einer Wellenfront-Verzerrungskorrektur in jede Wellenlängenkomponente des optischen Strahls (54), in die die bekannte Wellenfront-Verzerrung eingeführt wurde, wobei die Wellenfront-Verzerrungskorrektur das Umgekehrte der bekannten Wellenfront-Verzerrung ist, die in den optischen Strahl (54) eingeführt wurde, und dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Einführens einer bekannten Wellenfront-Verzerrung den Schritt aufweist: Auswählen der bekannten Wellenfront-Verzerrung, um eine Strahlleistungsdichte an einem Ort der Zwischenabbildung zu erzeugen, die kleiner ist als jene, die ein Gas ionisieren wird, das am Ort der Zwischenabbildung vorhanden ist, wobei der optische Strahl eine hohe Leistung hat, die das Gas am Ort der Zwischenabbildung ionisieren würde, falls die Wellenfront nicht verzerrt wäre.

A method of processing an optical beam (54), comprising the steps of supplying the optical beam (54); thereafter introducing a known wavefront distortion into a least one wavelength component of the optical beam (54) to form a distorted optical beam (54); thereafter forming an intermediate image of the distorted optical beam (54); and thereafter introducing a wavefront distortion correction into each wavelength component of the optical beam (54) into which the known wavefront distortion was introduced, the wavefront distortion correction being the reverse of the known wavefront distortion introduced into the optical beam (54), and characterised in that : the step of introducing a known wavefront distortion includes the step of selecting the known wavefront distortion to produce a beam power density at a location of the intermediate image that is less than that which will ionize a gas present at a location of the intermediate image, said optical beam having high power which would ionize the gas at the location of the intermediate image if the wavefront is not distorted.

Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen umfassend die Schritte: Herstellen einer ersten Aluminiumschicht (11) an einer Oberfläche eines Substrates (12, 13) mit einer oberen Oberfläche mit Oberflächenirregularitäten, wobei die erste Schicht für ultraviolettes Licht reflektierend ist, Beschichten der ersten Aluminiumschicht mit einer polimeren Antireflexbeschichtung (16) mit einer Dicke, die höher ist als die Höhe der Oberflächenirregularitäten, wobei die Antireflexbeschichtung für das ultraviolette Licht absorbierend ist, Beschichten der polimeren Antireflexbeschichtung mit einer Photoresistbeschichtung (21), Belichten der Photoresistbeschichtung (21) mit dem ultravioletten aktinischen Licht, welches durch die Antireflexbeschichtung nicht wirkungsvoll reflektiert wird, Entwickeln des Photoresists, um darin Öffnungen (27) zu definieren, und Verwenden der Öffnungen, um die Abschnitte der Antireflexbeschichtung und der ersten Schicht, welche durch die Öffnung freigelegt sind selektiv zu ätzen, während unbelichtete Abschnitte von diesen intakt erhalten werden, wobei die Polymer-Antireflexbeschichtung (16) anfänglich einen Vorläufer eines Polymers umfaßt, der polymerisiert wird, um eine gehärtete Antireflexbeschichtung mit einer im wesentlichen ebenen oberen Oberfläche zu bilden, und wobei der Polymervorläufer aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Polysulfon und Polyaldehyd besteht, welches an dem Substrat beschichtet wird durch dessen Abscheidung in einer fluiden Form an dem Substrat, Rotieren des Substrats zum Verteilen des Vorläufers und dann Polymerisieren des Vorläufers, dadurch gekennzeichnet, daß das ultraviolette Licht tiefes ultraviolettes Licht ist, das heißt Licht mit Wellenlängen von weniger als ungefähr 300 nm ist, und die erste Schicht und die Antireflexbeschichtung gleichzeitig an Bereichen plasmageätzt werden, welche durch die Öffnungen der Photoresistschicht freigelegt sind, um im wesentlichen solche Bereiche der ersten Schicht und der Antireflexbeschichtung zu entfernen, die durch die Öffnungen freigelegt sind, wobei der Plasmaätzschritt ein reaktives Gas, das CCL umfasst, verwendet, wobei das Plasma durch Ionisieren des CCL , welches beides ätzen kann, sowohl die erste Schicht und die Antireflexschicht, gebildet wird.

A method for making semiconductor devices comprising the steps of: making a first aluminum layer (11) on a surface of a substrate (12,13) having an upper surface containing surface irregularities, said first layer being reflective of ultraviolet light; coating the first aluminum layer with a polymer antireflection coating (16) having a thickness greater than the heights of the surface irregularities, said antireflection coating being absorptive of said ultraviolet light; coating the polymer antireflection coating with a photoresist coating (21); exposing said photoresist coating (21) to said ultraviolet actinic light which is not efficiently reflected by the antireflection coating; developing the photoresist to define therein openings (27); and using said openings to selectively etch the portions of the antireflection coating and the first layer exposed by the opening, while leaving unexposed portions thereof intact; wherein said polymer antireflection coating (16) initially comprises a precursor of a polymer which is polymerized to torm a hardened antireflection coating having a substantially planar upper surface; and said polymer precursor is selected from the group consisting of polysulfone and polyaldehyde that is coated on the substrate by depositing it in a fluid form on the substrate, spinning the substrate to distribute the precursor, and then polymerizing the precursor; CHARACTERISED IN THAT said ultraviolet light is deep ultraviolet light, that is, light having wavelengths of less than about three hundred nanometers; and said first layer and said antireflection coating are simultaneously plasma etched at regions exposed by the openings of the photoresist layer to substantially remove such regions of the first layer and antireflection coating exposed by the openings; said plasma etching step employing a reactive gas consisting of CCl , the plasma formed by ionizing said CCl being effective to etch both said first layer and said antireflective layer.

Ionisieren

Ionizing