monolytisch

Monolytisch integrierte Verstärker/Elektroabsorbtionsmodulator-Lichtquelle mit folgenden Teilen: (a) ein strukturiertes III-V-Verbindungshalbleitersubstrat, das auf einem Teil seiner Oberfläche zumindest eine Rippe und auf der restlichen Oberfläche einen planaren Bereich umfaßt, wobei die Breite der Rippe 7 bis 13 Mikrometer und die Höhe der Rippe 1 bis 3 Mikrometer beträgt; (b) eine Schicht aus Gallium-Indium-Arsenidphosphid (12); eine Schicht aus Indiumphosphid (13); eine aktive Schicht (14), die eine separate Begrenzungsheterostruktur aus verspannten Gallium-Indium-Arsenidquantenmulden mit quaternären Gallium-Indium-Arsenidphosphid-Sperrschichten umfaßt, die so aufgewachsen sind, daß die Quantenmulden in dem Rippenbereich eine schmälere Bandlücke aufweisen als in dem planaren Bereich, wobei das Aufwachsenlassen der Quantenmulden und der quaternären Sperrschichten durch ein metallorganisches Dampfphasenepitaxieverfahren erfolgte; und eine Schicht aus Indiumphosphid (15), wobei die Schichten nacheinander abgeschieden wurden; (c) eine auf der Rippe angeordnete Verstärkeranordnung (19), die einen Teil der auf der Rippe aufgewachsenen aktiven Schicht umfaßt; (d) eine auf dem planaren Bereich angeordnete Modulatoranordnung (18), die einen Teil der auf dem planaren Bereich aufgewachsenen aktiven Schicht umfaßt, wobei der Teil der aktiven Schicht in der Verstärkeranordnung in einer Ebene liegt mit dem Teil der aktiven Schicht in der Modulatoranordnung; (e) eine Schicht aus stromblockierendem Material (17), die selektiv auf den Bereichen der entstehenden Anordnung abgeschieden wurde, die weder die Verstärkeranordnung noch die Modulatoranordnung umfassen; und (f) einer Einrichtung zum Anlegen einer Potentialdifferenz über die Modulatoranordnung und die Verstärkeranordnung.

A monolithically integrated amplifier electroabsorption modulator light source including (a) a III-V compound semiconductor patterned substrate having at least one ridge on a portion of its surface and a planar region on the remainder of its surface, the width of said ridge being in the range from 7 to 13 micrometres and the height of said ridge being in the range from 1 to 3 micrometres, (b) deposited successively thereon a layer of gallium indium arsenide phosphide (12), indium phosphide (13), an active layer (14) comprising a separate confinement heterostructure of strained gallium indium arsenide quantum wells with gallium indium arsenide phosphide quaternary barriers grown such that the quantum wells have a narrower bandgap on said ridge thereof than on said planar region thereof said quantum wells and quaternary barriers being grown by metal organic vapor phase epitaxy, and a layer of indium phosphide (15), (c) an amplifier structure (19) positioned on said ridge comprising a portion of said active layer grown on said ridge, (d) a modulator structure (18) positioned on a planar region comprising a portion of said active layer grown on said planar region, said portion of the active layer in the amplifier structure being on the same plane with said portion of the active layer in the modulator structure, (e) a layer of current blocking material (17) selectively deposited on those areas of the resultant assembly not containing either an amplifier structure or a modulator, and (f) means for applying a difference of potential across the modulator and the amplifier structure.