niedergeschlagenen

die niedergeschlagenen Beträge,

amounts written off,

Bild wird geschickt von einem niedergeschlagenen / traurigen Zayn

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Das Weltsozialforum war noch überschattet von den dramatischen Ereignissen an den Zäunen der spanischen Enklaven Ceuta und Melilla im September/Oktober 2005, als bei dem Versuch, die Zäune zu erstürmen, viele Migranten durch die Grenzpatrouillen getötet und Hunderte schwer verletzt wurden, und von den blutig niedergeschlagenen Flüchtlingsprotesten in Kairo zum Jahresende 2005, bei dem viele Flüchtlinge von Aufstandsbekämpfungseinheiten niedergeschossen wurden.

This forum had been overshadowed by the dramatic incidents at the fences of the Spanish enclaves of Ceute and Melilla in September and October 2005, when numerous migrants were killed and hundreds wounded by the border guards when trying to throw down the fences.

Der Frühling 1903 gibt die Antwort auf die niedergeschlagenen Streiks in Rostow und Tichorezk: Der ganze Süden Rußlands steht im Mai, Juni und Juli in Flammen. Baku, Tiflis, Batum, Jelisawetgrad, Odessa, Kiew, Nikolajew, Jekaterinoslaw stehen im Generalstreik im buchstäblichen Sinne.

The spring of 1903 gave the answer to the defeated strikes in Rostov and Tichoretzkaia; the whole of South Russia in May, June and July was aflame. Baku, Tiflis, Batum, Elisavetgrad, Odessa, Kiev, Nikolaev and Ekaterinoslav were in a general strike in the literal meaning of those words.

4. Filterelement mit einer oberflächenmodifizierten, unbeschichteten, hydrophilen, mikroporösen und in Alkohol unlöslichen Polyamidmembrane nach einem der Ansprüche 1 bis 3. 5. Verfahren zur Herstellung einer Membrane nach Anspruch 1, die Schritte: 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die sich niedergeschlagenen Teilchen des Gießharzsystems wieder gelöst oder vor dem Verteilen der Gießmasse auf dem Substrat herausgefiltert werden.

A process for preparing a membrane according to claim 1, characterized by the steps of: 7. A process according to claim 6 characterized in that the precipitated casting resin system particles are re-dissolved or are filtered out before spreading said casting compositions on said substrate. 8.

5. Filterelement mit einer oberflächenmodifizierten, unbeschichteten, hydrophilen, mikroporösen und in Alkohol unlöslichen Polyamidmembrane nach einem der Ansprüche 1 bis 4. 6. Verfahren zur Herstellung einer Membrane nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Schritte: 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die niedergeschlagenen Teilchen des Gießharzsystems wieder gelöst oder vor dem Verteilen der Gießmasse auf dem Substrat herausgefiltert werden.

A process for preparing a membrane according to claim 1, characterized by the steps of: 7. A process according to claim 6 characterized in that the precipitated casting resin system particles are re-dissolved or are filtered out before spreading said casting compositions on said substrate. 8.

Verfahren zur Wärmebehandlung von Halbleiter-Wafern, auf welchen Vorrichtungen ausgebildet werden sollen, wobei die Wafer durch Zerteilen eines Halbleiter-Einkristalls gebildet sind, der aus einer in einem Quarztiegel enthaltenen Schmelze durch ein Ziehverfahren gezüchtet ist, mit dem Schritt des Auswählens eines Temperatur-Zeit-Profils für die Wärmebehandlung durch Wählen wenigstens einer Wärmebehandlungstemperatur und wenigstens einer Bearbeitungszeit, und Durchführens einer Wärmebehandlung der Halbleiter-Wafer gemäß dem ausgewählten Temperatur-Zeit-Profil der Wärmebehandlung, dadurch gekennzeichnet, daß das auszuwählende Temperatur-Zeit-Profil der Wärmebehandlung bestimmt wird durch: das Aufnehmen einer Anzahl von als Probe-Wafer dienenden Halbleiter-Wafern, die von dem selben Einkristall geschnitten sind wie die Vorrichtungs-Wafer, das Bestimmen der Konzentration der thermischen Donatoren der Probe-Halbleiter-Wafer, um die Konzentration der thermischen Donatoren in jeweiligen Bereichen des Halbleiter-Einkristalls unmittelbar nach dem Ziehen zu ermitteln, das Erstellen von Kalibrierungskurven, welche das Ausmaß des Sauerstoff-Niederschlags bei jedem der Probe-Wafer nach verschiedenen intrinsischen Gettering-Vorgängen bei veränderter Zeit und Temperatur angeben, wobei dieser Niederschlag von der Konzentration der thermischen Donatoren des Wafers und den verwendeten Vorbehandlungszyklen abhängt, das Bestimmen der Beziehung zwischen dem niedergeschlagenen Sauerstoff und der anfänglichen Konzentration der thermischen Donatoren in jedem Probe-Wafer für jeden Vorbehandlungszyklus, das Bestimmen des erforderlichen Sauerstoffniederschlags für die auf den betreffenden Vorrichtungs-Wafern herzustellenden jeweiligen Vorrichtungen, das Festhalten der Konzentration der thermischen Donatoren des Halbleiter-Einkristalls in den Bereichen, aus denen die einzelnen Vorrichtungs-Wafer stammen, und das anschließende Verwenden der zuvor erstellten Kalibrierungskurven, um das Temperatur-Zeit-Profil der Wärmebehandlung auszuwählen, das zur Erzeugung der vorbestimmten erforderlichen Menge der Sauerstoffniederschlagskerne in jedem der Vorrichtungs-Wafer erforderlich ist.

A method of performing heat treatment on semiconductor wafers on which devices are to be fabricated, said wafers being obtained by slicing a semiconductor single crystal grown from a melt contained in a quartz crucible by a pulling method, comprising the step of selecting a heat treatment temperature-time-profile by choosing at least one heat treatment temperature and at least one processing time and subjecting the semiconductor wafers to a heat treatment according to the selected heat treatment temperature-time-profile, characterized in that the heat treatment temperature-time-profile to be selected is determined by: picking up a number of semiconductor wafers sliced from the same single crystal as the device wafers to be sample wafers, detecting the thermal donor concentration of the sample semiconductor wafers so as to detect the thermal donor concentration in respective portions of the semiconductor single crystal directly after being pulled, obtaining calibration graphs of how much oxygen precipitation occurs in each of the sample wafers after various intrinsic gettering processes wherein the time and the temperature are changed, this precipitation depending on the thermal donor concentration of the wafer and also on the pretreatment cycles used, determining the relationship between the precipitated oxygen and the initial thermal donor concentration of each of the sample wafers for each pretreatment cycle, determining the required precipitation of oxygen for the particular devices to be fabricated on the device wafers concerned, noting the thermal donor concentration in the semiconductor single crystal in the portions corresponding to where each of the device wafers originated, and then using the previously obtained calibration graphs to select the heat treatment temperature-time-profile required to generate the predetermined required amount of oxygen precipitation nuclei in each of the device wafers.

Unter Milchzuckergehalt versteht man den Stoff, den man durch eine Farbreaktion unter Verwendung einer Lösung von Phenol-Schwefelsäure nach Auflösung des Produkts in einem Natriumbikarbonat-Milieu und nachfolgender Trennung der niedergeschlagenen Eiweißstoffe in einem Säuremilieu bestimmt.

'Lactose content' means the content determined by colour reaction with a solution of sulphuric phenol after breakdown of the product in a medium of sodium bicarbonate and after separation of the whey by precipitation of the protein in an acid medium.