undotiert

dotiert und undotiert

doped and undoped

undotiert

undoped

Die andere Seite bleibt undotiert.

The other side remains undoped.

Bauelement nach Anspruch 1, umfassend : ein GaAs-Substrat (41; 61; 101) eines ersten Leitungstyps; eine untere Mantelschicht (42; 62; 103) des ersten Leitungstyps, ausgebildet auf dem GaAs-Substrat (41; 61; 101); wobei die untere optische Wellenleiterschicht (43; 63; 104) aus In 0,49 Ga 0,51 P undotiert oder vom ersten Leitungstyp auf der unteren Mantelschicht (42; 62; 103) gebildet ist; wobei die untere Zugspannungssperrschicht (44; 64; 105) auf der unteren optischen Wellenleiterschicht ausgebildet ist; wobei die obere optische Wellenleiterschicht (47; 67; 108) aus In 0,49 Ga 0,51 P besteht, undotiert oder vom zweiten Leitungstyp sind; wobei eine obere Mantelschicht (48, 50; 68; 109, 111) des zweiten Leitungstyps auf der oberen optischen Wellenleiterschicht (47; 67; 108) gebildet ist; und wobei eine Kontaktschicht (51; 69; 112) aus GaAs des zweiten Leitungstyps auf der oberen Mantelschicht gebildet ist; wobei zwei getrennte Nuten von einer Resonatorfacette zu der dieser gegenüberliegenden anderen Resonatorfacette gebildet sind, wobei der Resonator durch die oben angegebenen Schichten gebildet ist und die Nuten bis zu einer Tiefe gebildet sind, bei der die aus In 0.49 Ga 0.51 P gebildete optische Wellenleiterschicht als undotierte Schicht oder Schicht vom zweiten Leitungstyp frei liegt ; die dazwischen gebildete Rippe eine Brechungsindex-Wellenleiterstruktur bildet ; und ein Absolutwert einer Summe eines ersten Produkts und eines zweiten Produkts gleich oder kleiner als 0,25 nm ist, wobei das erste Produkt ein Produkt aus einer Spannung und einer Dicke der aktiven Druckspannungsschicht ist und das zweite Produkt ein Produkt einer Spannung der unteren und oberen Zugspannungssperrrschichten und einer Gesamtdicke der unteren und oberen Zugspannungssperrschichten ist. Bauelement nach Anspruch 9, bei dem die Mantelschicht (48, 50; 68; 109, 111) des zweiten Leitungstyps aus entweder Al z1 Ga 1-z1 As oder In 0.49 (Al z3 Ga 1-z3 ) 0.51 P mit 0,6 ? z1 ? 0,8 und 0,1 ? z3 ? 1 besteht. Bauelement nach Anspruch 9, bei dem zwischen der optischen Wellenleiterschicht aus In 0,49 Ga 0,51 P, die undotiert oder vom zweiten Leitungstyp ist, und der Mantelschicht des zweiten Leitungstyps eine Ätzstoppschicht (49; 110) vorgesehen ist; und die Ätzstoppschicht (49; 110) am Boden der Nuten freiliegt.

A semiconductor laser device according to claim 1, comprising: a GaAs substrate (41;61;101) of a first conductive type; a lower cladding layer (42;62;103) of said first conductive type, formed on said GaAs substrate (41;61;101); said lower optical waveguide layer (43;63;104) being made of In 0.49 Ga 0.51 P which is undoped or of said first conductive type and formed on said lower cladding layer (42;62;103); said lower tensile-strain barrier layer (44;64;105) being formed on said lower optical waveguide layer; said upper optical waveguide layer (47;67;108) being made of In 0.49 Ga 0.51 P which is undoped or of a second conductive type; an upper cladding layer (48,50;68;109,111) of said second conductive type formed on said upper optical waveguide layer (47;67;108); and a contact layer made (51;69;112) of GaAs of said second conductive type and formed on said upper cladding layer; wherein two separate grooves are formed from one resonator facet to the other resonator facet that faces it, this resonator being formed by said layers described above, to a depth at which said optical waveguide layer formed of In 0.49 Ga 0.51 P which is undoped or of a second conductive type is exposed; the ridge formed therebetween forms a refractive index waveguide structure; and an absolute value of a sum of a first product and a second product is less than or equal to 0.25 nm, where said first product is a product of a strain and a thickness of said compressive-strain active layer, and said second product is a product of a strain of said lower and upper tensile-strain barrier layers and a total thickness of said lower and upper tensile-strain barrier layers.

Bauelement nach Anspruch 1, umfassend: ein GaAs-Substrat (101) des ersten Leitungstyps; eine untere Mantelschicht (103) des ersten Leitungstyps auf dem GaAs-Substrat (101); wobei die untere optische Wellenleiterschicht (104) aus In 0.49 Ga 0.51 P, undotiert oder vom zweiten Leitungstyp, auf der unteren Mantelschicht (103) gebildet ist; wobei die untere Zugspannungssperrschicht (105) auf der unteren optischen Wellenleiterschicht ausgebildet ist; wobei die obere optische Wellenleiterschicht (108) aus In 0,49 Ga 0,51 P, undotiert oder vom zweiten Leitungstyp, gebildet ist; wobei eine erste obere Mantelschicht (109) des zweiten Leitungstyps über der oberen optischen Wellenleiterschicht (108) gebildet ist; wobei eine Ätzstoppschicht (110) aus InGaP des zweiten Leitungstyps auf der ersten oberen Mantelschicht gebildet ist; eine zweite obere Mantelschicht (111) des zweiten Leitungstyps auf der Ätzstoppschicht (110) gebildet ist; und eine Kontaktschicht (112) aus GaAs des zweiten Leitungstyps auf der zweiten oberen Mantelschicht (111) gebildet ist; wobei von einer Resonatorfacette zu der dieser gegenüberliegenden anderen Resonatorfacette eines durch die obigen Schichten gebildeten Resontors zwei getrennte Nuten bis zu einer Tiefe ausgebildet sind, bei der die Ätzstoppschicht (110) freiliegt; die dazwischen gebildete Rippe eine Brechungsindex-Wellenleiterstruktur bildet; und ein Absolutwert einer einer Summe eines ersten Produkts und eines zweiten Produkts gleich oder kleiner als 0,25 nm ist, wobei das erste Produkt ein Produkt aus einer Spannung und einer Dicke der aktiven Druckspannungsschicht ist und das zweite Produkt ein Produkt einer Spannung der unteren und oberen Zugspannungssperrrschichten und einer Gesamtdicke der unteren und oberen Zugspannungssperrschichten ist.

A semiconductor laser device according to claim 1, comprising: a GaAs substrate (101) of a first conductive type; a lower cladding layer (103) of said first conductive type, formed on said GaAs substrate (101); said lower optical waveguide layer (104) being made of In 0.49 Ga 0.51 P which is undoped or of said first conductive type formed on said lower cladding layer (103); said lower tensile-strain barrier layer (105) being formed on said lower optical waveguide layer; said upper optical waveguide layer (108) being made of In 0.4 Ga 0.51 P which is undoped or a second conductive type; a first upper cladding layer (109) of said second conductive type, formed over said upper optical waveguide layer (108); an etching stop layer (110) made of InGaP of said second conductive type and formed on said first upper cladding layer; a second upper cladding layer (111) of said second conductive type, formed on said etching stop layer (110); and a contact layer (112) made of GaAs of said second conductive type and formed on said second upper cladding layer (111); wherein two separate groove are formed from one resonator facet to the other resonator facet that faces it, this resonator being formed by said layers described above, to a depth at which said etching stop layer (110) is exposed; the ridge formed therebetween forms a refractive index waveguide structure; and an absolute value of a sum of a first product and a second product is equal to or smaller than 0.25 nm, where said first product is a product of a strain and a thickness of said compressive-strain active layer, and said second product is a product of a strain of said lower and upper tensile-strain barrier layers (105, 107) and a total thickness of said lower and upper tensile-strain barrier layers (105, 107).

Bauelement nach Anspruch 1, umfassend: ein GaAs-Substrat (1; 21; 81) eines ersten Leitungstyps; eine untere Mantelschicht (2; 22; 83) des ersten Leitungstyps, ausgebildet auf dem GaAs-Substrat; wobei die untere optische Wellenleiterschicht (3; 23; 84) auf der unteren Mantelschicht gebildet ist und aus In 0.49 Ga 0.51 P besteht, welches undotiert oder vom ersten Leitungstyp ist; die untere Zugspannungssperrschicht (4; 24; 85) auf der unteren optischen Wellenleiterschicht gebildet ist, und die obere optische Wellenleiterschicht (7; 27; 88) aus In 0,49 Ga 0,51 P besteht, welches undotiert oder vom zweiten Leitungstyp ist; eine Ätzstoppschicht (8; 29, 30; 90, 91) aus GaAs eines zweiten Leitungstyps, ausgebildet auf der oberen optischen Wellenleiterschicht; eine Stromeingrenzungsschicht (9; 31; 92) aus In 0,49 (Al z2 Ga 1-z2 ) 0.51 P des ersten Leitungstyps, ausgebildet auf der Ätzstoppschicht mit 0,15?z2? 1; eine Deckschicht (10, 11; 32, 33; 93, 94) aus In 0.49 Ga 0.51 P des ersten Leitungstyps oder des zweiten Leitungstyps, ausgebildet auf der Stromeingrenzungsschicht; eine obere Mantelschicht (13; 34; 95) des zweiten Leitungstyps, ausgebildet über der Deckschicht; und eine Kontaktschicht (14; 35; 96) aus GaAs des zweiten Leitungstyps und ausgebildet auf der oberen Mantelschicht (13; 34; 95); wobei ein Teil der Halbleiterschichten, die gebildet sind durch die Deckschicht, die Stromeingrenzungsschicht sowie die Ätzstoppschicht, von einer Resonatorfacette zu der anderen, ihr gegenüberliegenden Resonatorfacette hin entfernt ist, wobei dieser Resonator gebildet wird durch die oben angegebenen Schichten, bis hin zu einer Tiefe, bei der die optische Wellenleiterschicht aus In 0,49 Ga 0,51 P, undotiert oder vom zweiten Leitungstyp, freiliegt; die hierdurch gebildete Nut durch die Mantelschicht des zweiten Leitungstyps auf der Deckschicht zur Ausbildung einer Brechungsindex-Wellenleiterstruktur gefüllt ist; und ein Absolutwert einer Summe eines ersten Produkts und eines zweiten Produkts gleich oder kleiner als 0,25 nm ist, wobei das erste Produkt ein Produkt aus einer Spannung und einer Dicke der aktiven Druckspannungsschicht ist und das zweite Produkt ein Produkt einer Spannung der unteren und oberen Zugspannungssperrrschichten und einer Gesamtdicke der unteren und oberen Zugspannungssperrschichten ist.

A semiconductor laser device according to claim 1, comprising: a GaAs substrate (1;21;81) of a first conductive type; a lower cladding layer (2;22;83) of said first conductive type, formed on said GaAs substrate; said lower optical waveguide layer (3;23;84) being formed on said lower cladding layer and made of In 0.49 Ga 0.51 P which is undoped or of said first conductive type, said lower tensile-strain barrier layer (4;24;85) being formed on said lower optical waveguide layer and said upper optical waveguide layers (7;27;88) being made of In 0.49 Ga 0.51 P which is undoped or of a second conductive type; an etching stop layer made (8;29,30;90,91) of GaAs of a second conductive type and formed on said upper optical waveguide layer; a current confinement layer made (9;31;92) of In 0.49 (Al z2 Ga 1-z2 ) 0.51 P of said first conductive type, formed on said etching stop layer, where 0.15?z2?1 ; a cap layer (10,11;32,33;93,94) made of In 0.49 Ga 0.51 P of said first conductive type or said second conductive type and formed on said current confinement layer; an upper cladding layer (13;34;95) of said second conductive type, formed over said cap layer; and a contact layer (14;35;96) made of GaAs of said second conductive type and formed on said upper cladding layer (13;34;95); wherein a portion of the semiconductor layers formed by said cap layer, said current confinement layer, as well as said etching stop layer are removed from one resonator facet to the other resonator facet that faces it, this resonator being formed by said layers described above, to a depth at which said optical waveguide layer formed of In 0.49 Ga 0.51 P which is undoped or of said second conductive type is exposed; the groove formed thereby is filled by said cladding layer of said second conductive type formed on said cap layer to form a refractive index waveguide structure; and an absolute value of a sum of a first product and a second product is less than or equal to 0.25 nm, where said first product is a product of a strain and a thickness of said compressive-strain active layer, and said second product is a product of a strain of said lower and upper tensile-strain barrier layers and a total thickness of said lower and upper tensile-strain barrier layers.

Bauelement nach Anspruch 1, umfassend: ein GaAs-Substrat (21; 81) eines ersten Leitungstyps; eine untere Mantelschicht (22; 81) des ersten Leitungstyps, ausgebildet auf dem GaAs-Substrat (21; 81); wobei die untere optische Wellenleiterschicht (23; 84) aus In 0,49 Ga 0,51 P gebildet ist, undotiert oder vom ersten Leitungstyp und auf der unteren Mantelschicht ausgebildet; wobei die untere Zugspannungssperrschicht (24; 85) auf der unteren optischen Wellenleiterschicht gebildet ist; wobei die obere optische Wellenleiterschicht (27; 88) aus In 0,49 Ga 0,51 P gebildet ist, undotiert oder vom zweiten Leitungstyp; wobei eine erste obere Mantelschicht (28; 89) vom zweiten Leitungstyp auf der oberen optischen Wellenleiterschicht (27; 88) gebildet ist; eine erste Ätzstoppschicht (29; 90) aus InGaP des zweiten Leitungstyps auf der ersten oberen Mantelschicht gebildet ist; eine zweite Ätzstoppschicht (30; 91) aus GaAs entweder vom ersten oder vom zweiten Leitungstyp auf der ersten Ätzstoppschicht (29; 90) gebildet ist; eine Stromeingrenzungsschicht (31; 92) aus In 0.49 (Al z2 Ga 1-z2 ) 0.51 P (0,15 ? z2 ? 1) des ersten Leitungstyps auf der zweiten Ätzstoppschicht (30; 91) gebildet ist; eine Deckschicht (10, 11; 93, 94) aus In 0.49 Ga 0.51 P des ersten Leitungstyps oder des zweiten Leitungstyps auf der Stromeingrenzungsschicht (31; 92) gebildet ist; eine zweite obere Mantelschicht (34; 95) des zweiten Leitungstyps auf der Deckschicht (10, 11; 93, 94) gebildet ist; und eine Kontaktschicht (35; 96) aus GaAs des zweiten Leitungstyps auf der zweiten oberen Mantelschicht gebildet ist; wobei ein Teil der Halbleiterschichten, die durch die Deckschicht, die Stromeingrenzungsschicht sowie die zweite Ätzstoppschicht gebildet sind, von einer Resonatorfacette zu der dieser gegenüberliegenden anderen Resonatorfacette entfernt ist, wobei dieser Resonator durch die oben beschriebenen Schichten gebildet ist, und zwar bis zu einer Tiefe, bei der die erste Ätzstoppschicht freiliegt; die hierdurch gebildete Nut durch die Mantelschicht des zweiten Leitungstyps auf der Deckschicht zur Ausbildung einer Brechungsindex-Wellenleiterstruktur gefüllt ist; und ein Absolutwert einer Summe eines ersten Produkts und eines zweiten Produkts gleich oder kleiner als 0,25 nm ist, wobei das erste Produkt ein Produkt aus einer Spannung und einer Dicke der aktiven Druckspannungsschicht ist und das zweite Produkt ein Produkt einer Spannung der unteren und oberen Zugspannungssperrrschichten und einer Gesamtdicke der unteren und oberen Zugspannungssperrschichten ist.

A semiconductor laser device according to claim 1, comprising : a GaAs substrate (21;81) of a first conductive type; a lower cladding layer (22;83) of said first conductive type, formed on said GaAs substrate (21;81); said lower optical waveguide layer (23;84) being made of In 0.49 Ga 0.51 P which is undoped or of said first conductive type formed on said lower cladding layer; said lower tensile-strain barrier layer (24;85) being formed on said lower optical waveguide layer; said upper optical waveguide layer (27;88) being made of In 0.49 Ga 0.51 P which is undoped or of a second conductive type; a first upper cladding layer (28;89) of said second conductive type, formed on said upper optical waveguide layer (27;88); a first etching stop layer (29;90) made of InGaP of said second conductive type and formed on said first upper cladding layer; a second etching stop layer (30;91) made of GaAs of either said first or second conductive type and formed on said first etching stop layer (29;90); a current confinement layer (31;92) made of In 0.49 (Al z2 Ga 1-z2 ) 0.51 P (0.15?z2?1) of said first conductive type and formed on said second etching stop layer (30;91); a cap layer (10,11;93,94) made of In 0.49 Ga 0.51 P of said first conductive type or said second conductive type and formed on said current confinement layer (31;92); a second upper cladding layer (34;95) of said second conductive type, formed over said cap layer (10,11;93,94); and a contact layer (35;96) made of GaAs of said second conductive type and formed on said second upper cladding layer; wherein a portion of the semiconductor layers formed by said cap layer, said current confinement layer, as well as said second etching stop layer are removed from one resonator facets to the other resonator facet that faces it, this resonator being formed by said layers described above, to a depth at which said first etching stop layer is exposed; the groove formed thereby is filled by said second cladding layer of said second conductive type formed on said cap layer to form a refractive index waveguide structure; and an absolute value of a sum of a first product and a second product is equal to or smaller than 0.25 nm, where said first product is a product of a strain and a thickness of said compressive-strain active layer, and said second product is a product of a strain of said lower and upper tensile-strain barrier layers and a total thickness of said lower and upper tensile-strain barrier layers.

Die Schrägflächenbereiche 7, 8 (vgl. Fig. 4 und 5) bleiben undotiert (ätztechnisch weich), damit die ätztechnische Trennung der beiden Trennwände 2l, 22 (Federblätter) erreicht wird.

The sloped regions 7, 8 (FIGS. 4 and 5) are undoped ("soft" in terms of etching) to attain etching separation between the two partitions 21, 22 (spring leaves).