electron mobility

HEMT | high electron mobility transistors |

ICAO | International Civil Aviation Organisation (Internationale Zivilluftfahrt-Organisation) |

However, the semiconductor layer prepared by this process is notable for an undesirably high p-type conductivity and low electron mobility.

Die nach diesem Verfahren herge­ stellte Halbleiterschicht zeichnet sich allerdings durch eine unerwünscht hohe p-Leitfähigkeit und niedrige Elek­ tronenmobilität aus.

As a result, advantageously, undesired electron reflections are minimized and electrons with energies matched to energy bands with low electron mobility can be injected.

Hierdurch wird vorteilhaft unerwünschte Elektronenreflektion minimiert und Elektronen mit Energien passend zum Energieband mit niedrigerer Elektronenbeweglichkeit injiziert.

Hetero-structure semiconductor devices such as high electron mobility transistors (HEMT), hetero-bipolar transistors (HBT), quantum well and super lattice devices;

HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), "quantum well devices" oder "super lattice devices";

HEMT | high electron mobility transistors |

ICAO | Internationale Zivilluftfahrt-Organisation (International Civil Aviation Organisation) |

- High Electron Mobility Transistors (HEMTs)

- HEMTs (High Electron Mobility Transistors)