magnetron

PVD Metallisation Magnetron sputtering of the metallic or metal-ceramic PVD coating in vacuum

PVD Metallisierung Magnetron-Sputtern von metallischen oder Metall-Keramik-PVD-Beschichtung im Vakuum

To test for an open circuit filament use an ohmmeter to make a continuity test between the magnetron filament terminals, the meter should show a reading of less than 1 ohm. To test for short filament to anode condition, connect ohmmeter between one of the filament terminals and the case of the magnetron (ground). This test should be indicated an infinite resistance. If a low or zero resistance reading is obtained then the magnetron should be replaced.

Ein offener Stromkreis testen Filament verwenden ein Widerstandsmessgerät, um eine Kontinuität zwischen testen die Magnetron-Filament-Klemmen, sollte das Messgerät eine Lesung von weniger als 1 Ohm anzeigen. Um kurze Filament Anode Zustand testen, verbinden Sie Mikroohmmeter zwischen einem der Glühwendel Terminals und der Fall des Magnetrons (Masse). Dieser Test sollte eine unendliche angegeben Widerstand. Gering oder NULL Widerstand Lesung erreicht sollte Magnetrons ersetzt werden.

The invention relates to a device for coating substrates by means of magnetron sputtering. Said device comprises at least one sputtering source according to the magnetron principle, at least one target (1) which can be placed on an optional electrical potential, a tunnel-shaped, closed magnetic field (5) which is located above the surface and is at least temporarily used as a cathode, at least one electrode which is at least temporarily used as an anode (7), and at least one power supply unit (8) for producing a voltage between the target(s) and the electrode or the associated electrodes, a device (9) for producing magnetic fields being associated with the electrode in such a way that the electrode surface is at least partially penetrated by a magnetic field. According to the invention, the maximum value of the magnetic field component parallel to the electrode surface HII,max is at least 5 % of the maximum value of the magnetic field component parallel to the target surface HII,max.

Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Beschichten von Substraten durch Magnetron-Sputtern mit mindestens einer Sputterquelle nach dem Magnetronprinzip mit mindestens je einem auf wahlfreies elektrisches Potential legbaren Target (1) mit in sich geschlossenem tunnelförmigen Magnetfeld (5) oberhalb der Oberfläche, welches mindestens zeitweise als Katode geschaltet ist, und mindestens einer zumindest zeitweise als Anode (7) geschalteten Elektrode und mindestens einer Stromversorgungseinheit (8) zur Erzeugung einer Spannung zwischen dem Target bzw. den Targets und der Elektrode bzw. den zugeordneten Elektroden, bei der der Elektrode eine magnetfelderzeugende Einrichtung (9) derart zugeordnet ist, dass die Elektrodenoberfläche zumindest teilweise von einem Magnetfeld durchdrungen wird, wobei der Maximalwert der Magnetfeldkomponente parallel zur Elektrodenoberfläche HII,max mindestens 5% des Maximalwertes der Magnetfeldkomponente parallel zur Targetoberfläche HII,max beträgt.

magnetron sputtered

Magnetron gesputtert

Magnetron drive power supply

Steuermittel einer Stromversorgung bei einem Magnetron

Magnetron sputtering targets.

Zielelemente für Magnetron-Zerstäubung.

1 The Table refers only to triode, magnetron or reactive sputter deposition which is used to increase adhesion of the coating and rate of deposition and to radio frequency (RF) augmented sputter deposition used to permit vaporisation of non-metallic coating materials.

Anmerkung 1: Die Tabelle bezieht sich ausschließlich auf das Abscheiden mittels Trioden- oder Magnetronanlagen oder reaktivem Aufstäuben, wodurch die Haftfestigkeit der Schicht und die Beschichtungsrate erhöht werden, sowie auf das beschleunigte Aufstäuben mittels einer am Target anliegenden HF-Spannung, wodurch nichtmetallische Schichtwerkstoffe zerstäubt werden können.

Disconnect the cables of F and FA from the magnetron.

Ziehen Sie die Kabel von F und FA am Magnetron ab.