projectively
Wörterbuch
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projectively
Beispiele im Kontext
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Projectively rotate with this half-line
Projektiv drehen an diesem Strahl
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Projectively rotate this object
Dieses Objekt projektiv drehen
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Projectively rotate by this angle
Projektive Drehung um diesen Winkel
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Select the object to rotate projectively
Wählen Sie ein projektiv zu drehendes Objekt
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The control device of an autonomously moving body as defined in claim 7, wherein the data control section projectively transforms the latest positional data stored in the storage means, onto a coordinate of the moving road surface, and corrects the transformed data to a positional coordinate of the time designated by a request signal.
Steuervorrichtung eines sich autonom bewegenden Körpers, wie in Anspruch 7 definiert, bei der der Datensteuerungsteil die neuesten in dem Speichermittel gespeicherten Positionsdaten auf eine Koordinate der Bewegungsstraßenoberfläche projektionstransformiert und die transformierten Daten zu einer Positionskoordinate der durch ein Anforderungssignal bezeichneten Zeit korrigiert.
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Amongst his notable discoveries are the Hitchin integrable system, the Hitchin–Thorpe inequality, Hitchin's projectively flat connection over Teichmüller space, Hitchin's self-duality equations, the Atiyah–Hitchin monopole metric, the Atiyah–Hitchin–Singer theorem, the ADHM construction of instantons (of Atiyah, Drinfeld, Hitchin, and Manin), and the Hyperkähler quotient (of Hitchin, Karlhede, Lindström and Rocek).
Hitchin arbeitete beispielsweise über den Zusammenhang integrabler Systeme der mathematischen Physik mit algebraischer Geometrie, zum Beispiel in der Atiyah-Drinfeld-Hitchin-Manin-Konstruktion (ADHM-Konstruktion) von Instantonen von 1977 mit Atiyah, Yuri Manin, Vladimir Drinfeld ("The construction of instantons.
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A BiCMOS integrated circuit formed in a relatively thin epitaxial layer of a first type conductivity (N-EPI), grown on a substrate of a second type of conductivity (P SUBS ), containing n-channel (LDMOS) and p-channel MOS devices for high voltages (HV Nchannel LDMOS, HV Pchannel LDMOS), the structure of which includes a well region of said first type of conductivity (N WELL ), a body region of said second type of conductivity (P BODY ) formed in said well region, drain and source regions, together with bipolar and CMOS devices for signal processing, characterized in that the structure of said high voltage devices comprises a buried region of said first type of conductivity (SOFT-N), adjacent to said well region (N WELL ) and extending in the substrate through the interface between the epitaxial layer (N-EPI) and the substrate (P SUBS ), located projectively beneath said body region (P BODY ) of the device; said buried region (SOFT-N) having a dopant concentration intermediate between the concentration of said epitaxial layer (N-EPI) and the concentration of said well region (N WELL ).
Integrierte BiCMOS-Schaltung, die in einer relativ dünnen Epitaxialschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps (N-EPI) ausgebildet ist, die auf einen Substrat eines zweiten Leitfähigkeitstyps (P SUBS ) gezüchtet ist, und die n-Kanal-(LDMOS)und p-Kanal-(MOS)-Vorrichtungen für hohe Spannungen (HV-N-Kanal-LDMOS, HV-P-Kanal-LDMOS) enthält, wobei deren Struktur einen Wannenbereich des ersten Leitfähigkeitstyps (N WANNE ), einen Körperbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps (P KÖRPER ), der im Wannenbereich ausgebildet ist, sowie Drain- und Source-Bereiche zusammen mit bipolaren und CMOS-Vorrichtungen für die Signalverarbeitung enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die Struktur der Hochspannungsvorrichtungen einen verdeckten Bereich des ersten Leitfähigkeitstyps (SOFT-N) neben dem Wannenbereich (N WANNE ) enthält, der sich im Substrat durch die Grenzfläche zwischen der Epitaxialschicht (N-EPI) und dem Substrat (P SUBS ) erstreckt und vorspringend unterhalb des Körperbereiches (P KÖRPER ) der Vorrichtung angeordnet ist; wobei der verdeckte Bereich (SOFT-N) eine mittlere Dotierstoffkonzentration zwischen der Konzentration der Epitaxialschicht N-EPI) und der Konzentration des Wannenbereiches (N WANNE ) aufweist.
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Directional multi-channel antenna for a mobile radio telephone system, comprising: - a substantially flat screen reflector (1) including a conductive metallic wire net (1a, 1b) with meshes having a relatively large empty/solid ratio in order to reduce the visibility of the antenna; - a plurality of dipoles or radiators (2) mechanically supported at a certain distance from the reflecting surface of the screen reflector (1); - a shell or radome (3) of a material optically transparent and transparent to RF radiation transmitted and received by the antenna enclosing the screen reflector, the dipoles and connecting wirings of the dipoles, and at least a connector for an antenna connection cable. characterized in that a central part (1c) of said screen reflector (1) of relatively limited area compared to the whole area of the reflector and projectively coinciding with the zone of fastening of the antenna to a supporting pole, or alike structure, includes a wire net (1c) having a reduced empty/full ratio and reduced mesh size compared to the empty/full ratio and mesh size of the wire net of the major portion (1a, 1b) of the area of the screen reflector (1) for suppressing the evanescent wave generated therein.
Mehrkanalfähige Richtantenne für ein Mobilfunk-Telefonsystem, welche umfasst: - einen im Wesentlichen flachen Schirmreflektor (1), der ein leitendes Metalldrahtnetz (1a, 1b) mit Maschen enthält, die ein relativ großes Verhältnis "leer/massiv" aufweisen, um die Sichtbarkeit der Antenne zu verringern; - eine Vielzahl von Dipolen oder Strahlern (2), die mechanisch in einem gewissen Abstand von der reflektierenden Oberfläche des Schirmreflektors (1) abgestützt sind; - ein Gehäuse oder Radom (3) aus einem Material, das optisch transparent und für von der Antenne gesendete und empfangene Hochfrequenzstrahlung durchlässig ist, welches den Schirmreflektor, die Dipole und Anschlussdrähte der Dipole und wenigstens einen Verbinder für ein Antennenanschlusskabel umschließt, dadurch gekennzeichnet, dass ein zentraler Teil (1c) des besagten Schirmreflektors (1), der im Vergleich zur Gesamtfläche des Reflektors eine relativ begrenzte Fläche hat und in der Projektion mit dem Bereich der Befestigung der Antenne an einem Stützmast oder einer ähnlichen Konstruktion zusammenfällt, ein Drahtnetz (1c) enthält, das ein verringertes Verhältnis "leer/voll" und eine verringerte Maschengröße aufweist, verglichen mit dem Verhältnis "leer/voll" und der Maschengröße des Drahtnetzes des größeren Teils (1a, 1b) der Fläche des Schirmreflektors (1), um die darin erzeugte abklingende Welle zu unterdrücken.