transistors

31712353-9 | Metal oxide field effect transistors (MOSFET) |

31712353-9 | Metalloxid-Feldeffekttransistoren (MOSFET) |

Bipolar Transistors

Bipolartransistor

crude petroleum, textile fabric, telecommunications equipment, wheat, gas und Strom, transistors, Plastik

Erdöl, Textilgewebe, Telekommunikationsgeräte, Weizen-, Gas-und Strom, Transistoren, Plastik

31712352-2 | Field effect transistors (FET) |

31712352-2 | Feldeffekttransistoren (FET) |

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

Allgemeine Beschreibung Diese N-Kanal Enhancement Mode Power Feldeffekt-Transistoren werden unter Verwendung der proprietären Fairchild, ebenen Streifen, DMOS-Technologie. Diese fortschrittliche Technologie wurde speziell zugeschnitten auf On-Widerstand zu minimieren, bieten ein überragendes Schaltverhalten aushalten und hohen Energie-Impuls in der Lawine und Kommutierung Modus. Diese Geräte sind gut geeignet für hohe Effizienz Schaltnetzteilen, aktive Power Factor Correction, EVGs auf halber Brücke Topologie.

Connections of the photo diodes, photo transistors are shortened and soldered.

Verbindungen der Fotodioden, Fototransistoren werden gekürzt und verlötet.

Diodes ; transistors ; thyristors , diacs and triacs

Dioden ; Transistoren ; Thyristoren , Diacs und Triacs

Connections of the photo diodes%2C photo transistors are shortened and soldered.

Verbindungen der Fotodioden% 2C Fototransistoren werden verkürzt und verlötet.